Светодиодные 1.5 - мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si


2015

Галкин Н. Г., Горошко Д. Л., Саранин А. А., Чусовитин Е. А., Шевлягин А. В., Шамирзаев Т.С., Гутаковский А.К., Латышев А.В.

Статьи в журналах

Физика и техника полупроводников

Россия, Санкт-Петербург, Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука"

т. 49, вып. 4

с.519-523

0.74

0015-3222 (рус), 1063-7826 (eng)

Т.С. Шамирзаев, Н.Г. Галкин, Е.А. Чусовитин, Д.Л. Горошко, А.В. Шевлягин, А.К. Гутаковский, А.А. Саранин, А.В. Латышев. Светодиодные 1.5 - мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si // Физика и техника полупроводников, т. 49, вып. 4, 2015, с. 519-523.

Рус
Eng