Структура и свойства двойного слоя Tl на Si(111)


2017

Бондаренко Л. В., Грузнев Д. В., Зотов А. В., Саранин А. А., Тупчая А. Ю., А.Н. Михалюк, C.R. Hsing, C.M. Wei, S. Ichinokura, S. Hasegawa

Доклады

Материалы XXI-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 13-16 марта 2017 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН

Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского

Т. 1

285-286

978-5-91326-371-1

Д.В. Грузнев, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, А.Н. Михалюк, C.R. Hsing, C.M. Wei, S. Ichinokura, S. Hasegawa, А.В. Зотов, А.А. Саранин. Структура и свойства двойного слоя Tl на Si(111) // Материалы XXI-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 13-16 марта 2017 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2017, Т. 1, С. 285-286.