Сравнительное исследование латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe3O4/SiO2/n-Si и Fe3O4/SiO2/p-Si


2018

Балашев В. В., Викулов В. А., Димитриев А. А., Коробцов В. В., Писаренко Т. А.

Статьи в журналах

Физика твердого тела

Россия, Санкт-Петербург, "Наука"

Т. 60. Вып. 7. С.1311-1317

С.1311-1317

0.854

1.184

0367-3294

Писаренко Т.А., Балашев В.В., Викулов В.А., Димитриев А.А., Коробцов В.В. Сравнительное исследование латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe3O4/SiO2/n-Si и Fe3O4/SiO2/p-Si // Физика твердого тела. 2018. Т. 60. №7. С.1311-1317.

Представлены результаты сравнительного исследования латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe3O4/SiO2/n-Si и Fe3O4/SiO2/p-Si. В обеих структурах латеральное фотонапряжение максимально вблизи измерительных контактов, но имеет противоположный знак. При смещении светового пятна от измерительных контактов оно линейно меняется в структуре Fe3O4/SiO2/n-Si и экспоненциально затухает в структуре Fe3O4/SiO2/p-Si. Установлено, что инверсия полярности фотонапряжения при смене типа проводимости кремния обусловлена наличием интерфейсных состояний на границе раздела SiO2/Si. Обнаружено, что для обеих структур наблюдается экстремальная толщинная зависимость фотонапряжения с оптимальной толщиной пленки Fe3O4 ∼ 50 nm. Работа частично поддержана Комплексной программой фундаментальных исследований ДВО РАН ”Дальний Восток“ 2018 − 2020 гг. № 18-3-022 (0226-18-0031).

10.21883/FTT.2018.07.46114.037

PSS-60(7)-18-1311.pdf