17 октября 2018 года (среда) в 14-00 в к. 510 ИАПУ ДВО РАН


Дата: 17.10.2018.

состоится заседание научного семинара "Наноструктуры на поверхности полупроводников".

Повестка

Доклад Пустовалова Евгения Владиславовича (ДВФУ, ШЕН) "Электронная микроскопия структуры аморфных и нанокристаллических сплавов" по материалам диссертационной работы на соискание ученой степени д.ф.-м.н. по специальности 01.04.07 – физика конденсированного состояния.

Научный консультант: д.ф.-м.н., профессор Плотников В.С.

 

В работе представлены результаты исследования многомасштабной структуры аморфных сплавов, взаимосвязи структуры и свойства, развитие методов электронно-микроскопического исследования и моделирования неупорядоченных структур.

1.  Предложены корреляционные модели и установлена взаимосвязь между технологическими условиями получения, характеристиками атомной структуры и физико-химическими свойствами АМС системы CoNiFeSiB.

2.  Установлено наличие высоких скоростей диффузии на начальных стадиях кристаллизации АМС систем CoP-CoNiP, CoW-CoNiW.

3.  Обнаружено зарождение и растворение атомных кластеров с упорядоченной структурой на начальных стадиях кристаллизации.

4.  Установлено, что начальная стадия кристаллизации АМС происходит преимущественно за счет поверхностного роста нанокристаллов.

5.  Разработан метод определения рельефа тонких пленок с нанометровой точностью по фокальным сериям изображений структуры в просвечивающем электронном микроскопе.

6.  Установлено, что статистические характеристики многомасштабного распределения объемов структурных неоднородностей в АМС систем CoP-CoNiP, CoW-CoNiW подчиняются классическому распределению Парето или модифицированному, вне зависимости от использования ПЭМ, СПЭМ или СПЭМ томографии.

7.  Разработаны алгоритмы и комплекс программ обработки результатов и моделирования электронно-микроскопических экспериментов с визуализацией в реальном режиме времени с использованием графических процессоров.

8.  Разработаны алгоритмы и комплекс программ для обработки результатов и моделирования электронно-томографических экспериментов с использованием 2-х и более графических процессоров.