Галкин Николай Геннадьевич


доктор физико-математических наук
заместитель директора по научно-образовательной и инновационной деятельности
23
(423)2310687
1-71
ngalk@iacp.dvo.ru

Галкин Н.Г. известный специалист в области физики и технологии наноструктурированных и композитных материалов на основе кремний – силицидных, станнидных и германидных гетеронаноструктур, физики низкоразмерных структур на кремнии и нанодиагностики, автор более 290 публикаций, включая  138 статей в российских и международных журналах, входящих в базы WebofScience, Scopus и РИНЦ, 43 статей – в сборниках трудов международных и российских конференций, 10 патентов на изобретения и полезные модели и 6 учебно-методических пособий.

Основные научные работы Галкина Н.Г. посвящены изучению процессов роста эпитаксиальных пленок полупроводниковых силицидов на кремнии, кремниевых гетеронаноструктур со встроенными наноточками полупроводниковых силицидов Fe, Cr, Mn, Mg и Ca, росту кремний-станнидных и кремний-германидных наноструктурированных материалов, исследованию их оптических, электрических, термоэлектрических и люминесцентных свойств, а также разработке новых классов светодиодов, фотоэлектрических и термоэлектрических преобразователей на их основе.

Галкиным Н.Г. выполнен цикл основополагающих исследований, связанных с изучением процессов проводимости двумерных пленок металлов на кремнии в условиях сверхвысокого вакуума методом двухчастотных холловских температурных измерений, который был впервые реализован экспериментально под его руководством. Под руководством Галкина Н.Г. также разработаны и реализованы методики обработки спектров дифференциального отражения в условиях сверхвысокого вакуума и впервые получены данные об оптических свойствах низкоразмерных и нанокристаллических материалов на кремнии в процессе их роста. Развитие методики сверхвысоковакуумных измерений магнитооптического эффекта Керра позволило начать исследования роста и свойств сверхтонких пленок железа на кремнии, что важно для создания приборов спинтроники на основе кремниевой планарной технологии.

Галкиным Н.Г. подготовлено девять кандидатов наук и один доктор наук. Он продолжает подготовку аспирантов. Трое сотрудников лаборатории дважды становились лауреатами грантов Президента РФ для молодых ученых по физике и инженерным наукам. Н.Г. Галкин и двое его учеников в разные годы (2008, 2011 и 2013 гг.) становились лауреатами премии имени выдающихся ученых ДВО РАН по экспериментальной физике имени профессора Ф.Г. Староса.

Галкин Н.Г. ведет большую научно-организационную и научно-общественную работу как руководитель лаборатории в ИАПУ ДВО РАН, руководитель образовательной программы «Электроника и наноэлектроника» в ДВФУ, профессор кафедры физики низкоразмерных структур Школы естественных наук ДВФУ, руководитель ряда инициативных проектов и программ Минобрнауки РФ, отделения физических наук РАН, РФФИ, Рффи-БРФФИ, РФФИ-МН Индии и ДВО РАН. Он является членом редакционного совета международного журнала "JournalofSurfaceScienceandNanotechnology“ и экспертом в ряде международных журналов. Н.Г. Галкин зарегистрирован в Федеральном реестре экспертов научно-технической сферы с 2012 по 2018 годы. Под его руководством с 2011 года проводится Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов (ASCO-Nanomat) с периодичностью один раз в два года. С 15 февраля 2006 года по январь 2011 года был ученым секретарем ИАПУ ДВО РАН, а с февраля 2011 года по настоящее время является заместителем директора по научно-образовательной и инновационной деятельности.