Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
История института
О нас в СМИ
Документы
Контакты
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные результаты
Разработки
Конкурсы
Проведение конференций
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Публикации
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет Д005.007.01
Диссертационный совет Д005.007.02
Диссертации, подготовленные к представлению
В помощь соискателю
Аспирантура
Направления подготовки высшего образования
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Список аспирантов (на 1 января 2019 года)
Старая версия сайта
Олянич Дмитрий Александрович
Степень:
кандидат физико-математических наук
Должность:
старший научный сотрудник
Кабинет:
СТМ
Внутр. телефон:
3-28
Email:
olyanich@iacp.dvo.ru
Публикации:
2017
2016
2015
2014
2013
2012
Доклады
Статьи в журналах
Статьи в сборниках / главы
Тезисы
2017. C70 self-assembly on In- and Tl-adsorbed Si(111)V3xV3-Au surfaces: Effect of non-spherical fullerene shape
2017. Scaling of size distributions of C60 and C70 fullerene surface islands
2017. The (2x2) reconstructions on the surface of cobalt silicides: Atomic configuration at the annealed Co/Si(111) interface
2016. Adsorption and self-assembly of fullerenes on Si(111) √3x√3-Ag: C60 versus C70
2016. Growth of C60 layers on the Au/Si(111) surface modified by Tl and In adsorbates
2016. Molecular simulations of C60 self-assembly on metal-adsorbed Si(111) surfaces
2016. Scanning tunneling microscopy study of the early stages of epitaxial growth of CoSi2 and CoSi films on Si(111) substrate: Surface and interface analysis
2016. Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников
2016. Особенности роста слоев С60 и С70 на поверхности Si(111)√3х√3-Ag и на плотноупакованном слое фуллеренов
2015. Influence of the surface potential relief on magic C60 islands formation
2015. Modeling C60 island growth using molecular dynamics method
2015. Dynamics of the artificially created vacancies in the monomolecular C60 layers.
2015. Magic C60 island formation on Si(111)√3×√3(Au,Tl) surface
2015. Magic C60 islands forming due to moiré interference between islands and substrate
2015. Molecular dynamics simulation of C60 island growth
2015. Self-assembled C60 layers on incommensurate Cu/Si(111)‘pseudo-5×5’ surface
2015. СТМ-наблюдение сверхтонких эпитаксиальных пленок CoSi2(111), выращенных при высокой температуре
2014. C60 layer growth on the Co/Si(111)√7x√7 surface
2014. Diffusion phenomena in system with coexisting atoms and molecules: C60 fullerenes and In adatoms on Au/Si(111)√3×√3 surface
2014. Dynamics of artificial molecular in 2D array of C60 fullerenes
2014. Mobility of artificial vacancies within C60 monomolecular layer
2014. Structure of the Co/Si(111) √13x√13 surface revisited
2014. Structure of the Co/Si(111)√13x√13 surface revisited
2014. The initial stages of the Co uniform nanofilms formation on Si(111)
2014. Thermal motion of vacancies in the monomolecular C60 layer
2014. Динамическое поведение вакансий в молекулярном массиве C60
2013. The manipulation of C60 in molecular arrays with an STM tip in regimes below the decomposition threshold
2013. Модификация держателя образца для сканирующего туннельного микроскопа VT STM (OMICRON)
2012. First-principles study of Si(111) root31xroot31-In reconstruction
2012. Self-assembly of C60 fullerenes on quasi-one-dimensional Si(111)4x1-In surface