Галкин Константин Николаевич


кандидат физико-математических наук
научный сотрудник
329 оптическая
2-68 2-30
galkinkn@iacp.dvo.ru

дата и место рождения: Владивосток, Россия, 15 Февраля 1983

Гражданство: Россия

Семейное положение: женат

Разговорные языки: Русский и Английский

 

Образование, научные степени:

2009 защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 – физика полупроводников по теме «Формирование низкоразмерного полупроводникового силицида магния и наногетероструктур на его основе».

Руководитель – профессор, д.ф.-м.н., Коробцов Владимир Викторович

2005 окончил с отличием Дальневосточный государственный университет по специальности «микроэлектроника и полупроводниковые приборы». Тема дипломной работы: «Формирование, оптические свойства и фононная структура кремния с мультислоями наноразмерных кластеров Mg2Si»

Руководитель – к.ф.-м.н., Маслов Андрей Михайлович

 

Профессиональный опыт:

2009 - по н.в.   научный сотрудник в лаборатории Оптики и электрофизики ИАПУ ДВО РАН

2015 - по н.в.   председатель Совета молодых ученых ДВО РАН

2013 - по н.в.   председатель Совета молодых ученых ИАПУ ДВО РАН

2012-2013         зам. председателя Совета молодых ученых ИАПУ ДВО РАН

2010 - по н.в.   старший инженер лаборатории пленочных технологий Школы Естественных наук ДВФУ

2009-2012         секретарь Совета молодых ученых ИАПУ ДВО РАН

2009-2010         инженер в лаборатории Оптики и электрофизики ИАПУ ДВО РАН

2005-2009         младший научный сотрудник в лаборатории Оптики и электрофизики ИАПУ ДВО РАН

2005-2009         аспирант в ИАПУ ДВО РАН

2002-2005         инженер в лаборатории Оптики и электрофизики ИАПУ ДВО РАН

2000-2002         лаборант в лаборатории Оптики и электрофизики ИАПУ ДВО РАН

2000-2005         студент, Институт физики и информационных технологий, Дальневосточный государственный университет, Владивосток, Россия

 

Опыт исследовательской работы

Специалист в области физики тонких пленок, физики низкоразмерных структур и физики полупроводниковых приборов. Основными направлениями научной деятельности являются экспериментальные исследования роста и свойств эпитаксиальных пленок полупроводниковых силицидов на кремнии, кремниевые наноструктуры со встроенными нанокристаллитами полупроводниковых силицидов и устройств на их остнове.

 

Гранты:

2015-2016       грант Президента РФ №МК-5470.2015.8 «Расширение диапазона p-i-n фотодиодов за счет внедрения нанокристаллитов полупроводниковых силицидов Mg, Ca и Cr в активную область кремния»

2012-2013     грант РФФИ № 12-02-31236 «Механизмы фотопроводимости и транспорта в кремний-силицидных наноматериалах.»

2011-2012         грант Президента РФ №МК-3225.2011.8 «Оптимизация термоэлектрических свойств кремний-силицидных наногетероструктур со встроенными нанокристаллами Mg2Si и CrSi2 для задач термоэлектроники»

 

Награды:

2004-2005 -       стипендиат специальной государственной стипендии Президента Российской Федерации для студентов государственных образовательных учреждений высшего профессионального образования Федерального агентства по образованию

 

2003-2004         стипендиат специальной государственной стипендии Правительства Российской Федерации для студентов государственных образовательных учреждений высшего профессионального образования Министерства образования России