Год: 2018

Издание: Физика твердого тела, RSCI

Тип публикации: Статьи в журналах

Название издания: Физика твердого тела

Страна, город, издательство: Россия, Санкт-Петербург, "Наука"

Выходные данные: Т. 60. Вып. 7. С.1311-1317

Импакт-фактор издания: 0.854

Импакт-фактор издания по РИНЦ: 1.184

ISSN / ISBN: 0367-3294

Библиографическое описание: Писаренко Т.А., Балашев В.В., Викулов В.А., Димитриев А.А., Коробцов В.В. Сравнительное исследование латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe3O4/SiO2/n-Si и Fe3O4/SiO2/p-Si // Физика твердого тела. 2018. Т. 60. №7. С.1311-1317.

Аннотация: Представлены результаты сравнительного исследования латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe3O4/SiO2/n-Si и Fe3O4/SiO2/p-Si. В обеих структурах латеральное фотонапряжение максимально вблизи измерительных контактов, но имеет противоположный знак. При смещении светового пятна от измерительных контактов оно линейно меняется в структуре Fe3O4/SiO2/n-Si и экспоненциально затухает в структуре Fe3O4/SiO2/p-Si. Установлено, что инверсия полярности фотонапряжения при смене типа проводимости кремния обусловлена наличием интерфейсных состояний на границе раздела SiO2/Si. Обнаружено, что для обеих структур наблюдается экстремальная толщинная зависимость фотонапряжения с оптимальной толщиной пленки Fe3O4 ∼ 50 nm. Работа частично поддержана Комплексной программой фундаментальных исследований ДВО РАН ”Дальний Восток“ 2018 − 2020 гг. № 18-3-022 (0226-18-0031).

DOI: 10.21883/FTT.2018.07.46114.037

Файлы: