2016
Article
0869-7698
Галкин Н. Г. и др. Кремний-силицидные диодные гетероструктуры-основа для создания кремниевой интегральной фотоники //Вестник Дальневосточного отделения Российской академии наук. – 2016. – №. 4 (188).
Рассмотрены подходы к созданию кремний-силицидных оптопар с возможностью их использования в кремниевой планарной технологии. В основе предложенных и испытанных фото- и светодиодов используется активный слой из встроенных в кремниевую монокристаллическую матрицу мультислоев нанокристаллитов β-FeSi2 или β-FeSi2 и CrSi2 . Получены доказательства спектральной чувствительности фотодиодов в области 0,4–2,0 мкм и излучения светодиодов при комнатной температуре и длине волны 1,5–1,6 мкм. Установлено, что для повышения эффективности свето- и фотодиодов со встроенными нанокристаллами необходимо увеличить слоевую и объемную плотность нанокристаллов размером 15–20 нм, оптимизировать конструкцию диода и ростовые процедуры встраивания нанокристаллов для уменьшения плотности малых нанокристаллов β-FeSi2