Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
История института
Награды, премии, почетные звания
Академики, члены-корреспонденты РАН
О нас в СМИ
Документы
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Международное сотрудничество
Проведение конференций
Конкурсы
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Прием в целевую аспирантуру
Список аспирантов (на 1 октября 2024 года)
Противодействие коррупции
Горошко Дмитрий Львович
Степень:
доктор физико-математических наук
Должность:
ведущий научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория оптики и электрофизики (№105)
Кабинет:
329
Телефон:
2-32-06-82
Внутр. телефон:
2-68
Email:
goroshko@iacp.dvo.ru
Публикации:
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2013
2012
2010
Материалы / тезисы конференций
Статьи в журналах
2017. Chusovitin E. A. et al. GaSb nanocrystals grown by solid phase epitaxy and embedded into monocrystalline silicon //Scripta Materialia. – 2017. – Т. 136. – С. 83-86.
2013. Chusovitin E. et al. Electroluminescence properties of p‐Si/β‐FeSi2 NCs/…/n‐Si mesa diodes with embedded multilayers of β‐FeSi2 nanocrystallites //physica status solidi (c). – 2013. – Т. 10. – №. 12. – С. 1850-1853.
2015. Non-doped and doped Mg stannide films on Si(111) substrates: Formation, optical, and electrical properties
2017. Goroshko D. L. et al. Solid phase epitaxy formation of silicon-GaSb based heterostructures //JJAP Conference Proceedings. – The Japan Society of Applied Physics, 2016. – Т. 5.
2017. Shevlyagin A. V. et al. Stress-induced indirect to direct band gap transition in β-FeSi2 nanocrystals embedded in Si //AIP Conference Proceedings. – AIP Publishing LLC, 2017. – Т. 1874. – №. 1. – С. 030007.
2017. Shevlyagin A. V. et al. A room-temperature-operated Si LED with β-FeSi2 nanocrystals in the active layer: μ W emission power at 1.5 μ m //Journal of Applied Physics. – 2017. – Т. 121. – №. 11. – С. 113101.
2018. Goroshko D. et al. Photoconductivity and conductivity processes in Si-Sn films grown on Si (100) substrate at room temperature //Defect and Diffusion Forum. – Trans Tech Publications Ltd, 2018. – Т. 386. – С. 95-101.
2013. Goroshko D. et al. Enhancement of near IR sensitivity of silicon‐silicide based photodetectors //physica status solidi (c). – 2013. – Т. 10. – №. 12. – С. 1844-1846.
2010. Influence of the Si(100)-c(4x12)-Al surface phase on formation and electrical properties of thin iron films
2017. Goroshko D. L. et al. Photoluminescence spectroscopy investigation of epitaxial Si/GaSb nanocrystals/Si heterostructure //AIP Conference Proceedings. – AIP Publishing LLC, 2017. – Т. 1874. – №. 1. – С. 030015.
2018. Galkin N. G. et al. Comparison of the structural, optical and thermoelectrical properties of Ca silicide films with variable composition on Si substrates //Defect and Diffusion Forum. – Trans Tech Publications Ltd, 2018. – Т. 386. – С. 3-8.
2020. Goroshko D. L. et al. Formation and thermoelectric properties of the n-and p-type silicon nanostructures with embedded GaSb nanocrystals //Japanese Journal of Applied Physics. – 2020. – Т. 59. – №. SF. – С. SFFB04.
2017. Galkin N. G. et al. Prospects for silicon–silicide integrated photonics //Japanese Journal of Applied Physics. – 2017. – Т. 56. – №. 5S1. – С. 05DA01.
2016. Goroshko D. L. et al. Formation of bulk and nanocrystallite layers of GaSb on silicon //Solid State Phenomena. – Trans Tech Publications Ltd, 2016. – Т. 245. – С. 72-79.
2016. Goroshko D. L. et al. Extended near-IR spectral sensitivity and electroluminescence properties of silicon diode structure with GaSb/Si composite layer //Solid State Phenomena. – Trans Tech Publications Ltd, 2016. – Т. 247. – С. 61-65.
2016. Галкин Н. Г. и др. Кремний-силицидные диодные гетероструктуры-основа для создания кремниевой интегральной фотоники //Вестник Дальневосточного отделения Российской академии наук. – 2016. – №. 4 (188).
2015. N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, R. Faigar, T.H. Stuchlikova, J. Stuchlok, Z. Remes. Formation and properties of p-i-n diodes based on hydrogenated amorphous silicon with embedded CrSi2, Mg2Si and Ca2Si nanocrystallites for energy conversion applications // JJAP Conf. Proceed., 3 (2015) 011104(1-8).
2020. Goroshko D. et al. Dissolution suppression of self-assembled GaSb quantum dots on silicon by proper surface preparation //Semiconductor Science and Technology. – 2020. – Т. 35. – №. 10. – С. 10LT01.
2018. Goroshko D. et al. Thermoelectric properties of nanostructured material based on Si and GaSb //Defect and Diffusion Forum. – Trans Tech Publications Ltd, 2018. – Т. 386. – С. 102-109.
2019. Galkin N. G. et al. Silicon p+–p−–n Diodes with Embedded β-FeSi2 and CrSi2 Nanocrystals: Morphology, Crystal Structure and Photoelectric Properties //International Journal of Nanoscience. – 2019. – Т. 18. – №. 03n04. – С. 1940084.
2019. Galkin N. G. et al. Conductive CaSi2 transparent in the near infra-red range //Journal of Alloys and Compounds. – 2019. – Т. 770. – С. 710-720.
2015. Alexander Shevlyagin, Dmitry Goroshko, Evgeniy Chusovitin, Konstantin Galkin, and Nikolay Galkin. Characterization of the silicon/β-FeSi2 nanocrystallites heterostructures for the NIR photodetection at low temperature // JJAP, V.54, 07JB02 (2015)
2015. Т.С. Шамирзаев, Н.Г. Галкин, Е.А. Чусовитин, Д.Л. Горошко, А.В. Шевлягин, А.К. Гутаковский, А.А. Саранин, А.В. Латышев. Светодиодные 1.5 - мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si // Физика и техника полупроводников, т. 49, вып. 4, 2015, с. 519-523.
2016. A. V. Shevlyagin, D. L. Goroshko, E. A. Chusovitin, N. G. Galkin. VIS-NIR-SWIR multicolor avalanche photodetector originating from quantum-confined Stark effect in Si/β-FeSi2/Si structure // V. 109, 171101 (2016)
2015. Shevlyagin A. V. et al. Enhancement of the Si pn diode NIR photoresponse by embedding β-FeSi 2 nanocrystallites //Scientific reports. – 2015. – Т. 5. – №. 1. – С. 1-9.
2017. Galkin N. G. et al. Study of optical and luminescence properties of silicon—semiconducting silicide—silicon multilayer nanostructures //EPJ Web of Conferences. – EDP Sciences, 2017. – Т. 132. – С. 02006.
2021. Galkin N. G. et al. Multilayer Heterostructures with Embedded CrSi2 and β-FeSi2 Nanocrystals on Si (111) Substrate: From the Formation to Photoelectric Properties //Solid State Phenomena. – Trans Tech Publications Ltd, 2020. – Т. 312. – С. 45-53.
2015. Galkin N. G. et al. Semiconducting Mg2Sn and Mg2Ge nanolayers on Si (111) substrates: formation, structure and properties //PHYSICS, CHEMISTRY AND APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES: PROCEEDINGS OF INTERNATIONAL CONFERENCE NANOMEETING–2015. – 2015. – С. 128-131.
2018. Semyon A Balagan et al 2018 J. Phys.: Condens. Matter 30 245301
2015. D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, I.M. Chernev, L. Dozsa, B. Pecz, N.G. Galkin. Formation and thermoelectric properties of stressed chromium disilicide nanocrystallites buried in the Si/CrSi2/Si(001) heterostructure // Electronic Materials Letters, V. 11, N. 3, (2015), pp. 424-428.
2019. Chusovitin E. et al. Embedding of iron silicide nanocrystals into monocrystalline silicon: suppression of emersion effect //Asia-Pacific Conference on Fundamental Problems of Opto-and Microelectronics 2017. – International Society for Optics and Photonics, 2019. – Т. 11024. – С. 1102402.
2017. Субботин Е. Ю. и др. НАНОКРИСТАЛЛЫ GASB ВЫРАЩЕННЫЕ МЕТОДОМ ТВЁРДОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ И ВСТРОЕННЫЕ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ //Современные проблемы физики и технологий. – 2017. – С. 166-167.
2018. Chusovitin E. et al. Formation of a thin continuous GaSb film on Si (001) by solid phase epitaxy //nanomaterials. – 2018. – Т. 8. – №. 12. – С. 987.
2012. Galkin N. G. et al. Room temperature 1.5 μ m light-emitting silicon diode with embedded β-FeSi2 nanocrystallites //Applied Physics Letters. – 2012. – Т. 101. – №. 16. – С. 163501.