Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
История института
Награды, премии, почетные звания
Академики, члены-корреспонденты РАН
О нас в СМИ
Документы
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Международное сотрудничество
Проведение конференций
Конкурсы
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Прием в целевую аспирантуру
Список аспирантов (на 1 октября 2024 года)
Противодействие коррупции
Чусовитина Светлана Владимировна
Степень:
кандидат физико-математических наук
Должность:
младший научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория оптики и электрофизики (№105)
Кабинет:
329
Телефон:
2-32-06-82
Внутр. телефон:
2-68
Email:
sveta@iacp.dvo.ru
Публикации:
2020
2018
2017
2013
Материалы / тезисы конференций
Статьи в журналах
2017. Субботин Е. Ю. и др. НАНОКРИСТАЛЛЫ GASB ВЫРАЩЕННЫЕ МЕТОДОМ ТВЁРДОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ И ВСТРОЕННЫЕ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ //Современные проблемы физики и технологий. – 2017. – С. 166-167.
2013. Gouralnik A. S. et al. Brief observe on iron silicide growth on amorphous silicon //Physica status solidi (c). – 2013. – Т. 10. – №. 12. – С. 1742-1745.
2018. Chusovitin E. et al. Formation of a thin continuous GaSb film on Si (001) by solid phase epitaxy //nanomaterials. – 2018. – Т. 8. – №. 12. – С. 987.
2020. Goroshko D. et al. Dissolution suppression of self-assembled GaSb quantum dots on silicon by proper surface preparation //Semiconductor Science and Technology. – 2020. – Т. 35. – №. 10. – С. 10LT01.
2013. Chusovitin E. et al. Electroluminescence properties of p‐Si/β‐FeSi2 NCs/…/n‐Si mesa diodes with embedded multilayers of β‐FeSi2 nanocrystallites //physica status solidi (c). – 2013. – Т. 10. – №. 12. – С. 1850-1853.
2020. Goroshko D. L. et al. Formation and thermoelectric properties of the n-and p-type silicon nanostructures with embedded GaSb nanocrystals //Japanese Journal of Applied Physics. – 2020. – Т. 59. – №. SF. – С. SFFB04.
2017. Chusovitin E. A. et al. GaSb nanocrystals grown by solid phase epitaxy and embedded into monocrystalline silicon //Scripta Materialia. – 2017. – Т. 136. – С. 83-86.