Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
История института
Награды, премии, почетные звания
Академики, члены-корреспонденты РАН
О нас в СМИ
Документы
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Международное сотрудничество
Проведение конференций
Конкурсы
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Прием в целевую аспирантуру
Список аспирантов (на 1 октября 2024 года)
Противодействие коррупции
Гуральник Александр Самуилович
Должность:
младший научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория оптики и электрофизики (№105)
Кабинет:
332
Внутр. телефон:
2-98
Email:
fun-era@iacp.dvo.ru
Публикации:
2022
2021
2020
2019
2018
2013
2010
Материалы / тезисы конференций
Статьи в журналах
2022. A.S. Gouralnik, Yu.V. Luniakov. Mg/Si interface reaction: How and why. Towards rational technologies of Mg2Si film growth for energy conversion. Vacuum, 2022, Vol.196, P.110798-4.
2013. Gouralnik A. S. et al. Brief observe on iron silicide growth on amorphous silicon //Physica status solidi (c). – 2013. – Т. 10. – №. 12. – С. 1742-1745.
2019. S.A. Dotsenko, Yu.V. Luniakov, A.S. Gouralnik, A.K. Gutakovskiy, N.G. Galkin. Silicide phase formation by Mg deposition on amorphous Si. Ab initio calculations, growth process and thermal stability. Journal of Alloys and Compounds, 2019, Vol.778, P.514-521.
2020. Terai Y. et al. Photoreflectance Spectra of Highly-oriented Mg 2 Si (111)//Si (111) Films //JJAP Conference Proceedings. – The Japan Society of Applied Physics, 2020. – Т. 8. - 011004
2010. Influence of the Si(100)-c(4x12)-Al surface phase on formation and electrical properties of thin iron films
2021. Gouralnik A. S., Shevlyagin A. V., Chernev I. M., Ustinov A. Y., Gerasimenko A. V., Gutakovskii, A. K. Synthesis of crystalline Mg2Si films by ultrafast deposition of Mg on Si (111) and Si (001) at high temperatures. Mg/Si intermixing and reaction mechanisms // Materials Chemistry and Physics. 2021. Vol. 258. Article number 123903.
2018. Gouralnik A. S. et al. Formation of Mg2Si at high temperatures by fast deposition of Mg on Si (111) with wedge-shaped temperature distribution //Applied Surface Science. – 2018. – Т. 439. – С. 282-284.