Шевлягин Александр Владимирович, 1991 года рождения, в 2013 г. с отличием закончил Дальневосточный Федеральный университет и поступил в очную аспирантуру ИАПУ ДВО РАН. В 2019 г. Шевлягин А.В. успешно защитил кандидатскую диссертацию " Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа" по специальности 01.04.10 "физика полупроводников". В настоящее время занимает должность старшего научного сотрудника в лаборатории Оптики и электрофизики.
По материалам научных исследований Шевлягина А.В. опубликовано более 45 печатных работ, из них за последние 5 лет: 20 статей, индексируемых в базах Web of Science и Scopus, в том числе 9 работ в изданиях, входящих в первый квартиль (Q1) и 6 работ в изданиях, входящих во второй квартиль (Q2) по импакт-фактору JCR Science Edition и/или SJR. Шевлягин А.В. неоднократно награждался дипломами за лучший доклад среди молодых учёных на всероссийских и международных конференциях. В настоящее время является руководителем гранта РНФ № 20-72-00006 “Разработка тонкоплёночных солнечных батарей на основе гетероперехода Si / Mg2Si” в рамках Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, состоит в международном обществе солнечной энергии - International Solar Energy Society (ISES), победитель конкурса на получение стипендии Президента Российской Федерации в 2021-2023 годах для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики с проектом "Гетероструктуры на основе тонких плёнок полуметаллических силицидов кальция для кремниевой фотовольтаики".