Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
История института
Награды, премии, почетные звания
Академики, члены-корреспонденты РАН
О нас в СМИ
Документы
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Международное сотрудничество
Проведение конференций
Конкурсы
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Прием в целевую аспирантуру
Список аспирантов (на 9 января 2025 года)
Противодействие коррупции
Нормативные правовые и иные акты в сфере противодействия коррупции
Методические материалы
Формы документов, связанных с противодействием коррупции, для заполнения
Статистическо-финансовая отчетность ИАПУ ДВО РАН
Комиссия по соблюдению требований к служебному поведению и урегулированию конфликта интересов
Обратная связь для сообщений о фактах коррупции
Вековшинин Юрий Евгеньевич
Должность:
младший научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория технологии двумерной микроэлектроники (№101)
Email:
vekovshinin98@mail.ru
Публикации:
2024
2023
2022
2021
2020
Статьи в журналах
2023. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Dense single-atomic 14×√3-reconstructed Pb layer on Si(111) with advanced structural and superconducting properties. Physical Review B, 2023, V.108, P.115428-9.
2022. V.V. Mararov, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Self-assembly of C60 layers at Tl/NiSi2 atomic sandwich on Si(111). Surface Science, 2022, Vol.715, p.121934-5.
2022. A.N. Mihalyuk, Y.E. Vekovshinin, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, T.V. Utas, D.V. Gruznev, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Insights into the electronic properties of PbBi atomic layers on Ge(111) and Si(111) surfaces. Frontiers in Materials, 2022, Vol. 9, P.882008-10.
2024. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Effect of embedded Cr on the structural phase transition of In/Si(111)4×1. Surface Science, 2024, Vol.739, P.122400-6.
2020. L.V. Bondarenko, A.N. Mihalyuk, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Au induced reconstructions of Si(111) surface with ordered and disordered domain walls. Physical Review B, 2020, Vol. 101, P. 075405-9
2022. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Single- and double-atomic In layers grown on top of a single-atomic-layer NiSi2 on Si(111). Physical Review B, 2022, V.106, P.035412-8.
2021. A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, T.V. Utas, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. One-dimensional spin-polarized electron channel in the two-dimensional PbBi compound on silicon. Physical Review B, 2021, Vol. 104, P.125413-7.
2024. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, T.V. Utas, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Atomic-scale observations of the immiscible melted metals confined in a single-atom layer. Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, 2024, Vol,18, Iss.2, P. 2300254-5.
2022. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D. V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Pb/NiSi2 atomic sandwich on Si(111). Surface Science, 2022, Vol.716, P.121966-6.
2024. A.N. Mihalyuk, Yu.E. Vekovshinin, A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, D.V. Gruznev, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Promoting spin-polarized states in Bi/Si(111) interface mediated by Ba intercalation for advanced spintronics applications. Scripta Materialia, 2024, Vol. 239, P. 115807-6.
2022. A.N. Mihalyuk, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. 2D heavy fermion CePb3 kagome material on silicon: Emergence of unique spin polarized states for spintronics. Nanoscale, 2022, Vol.14, P.14732-14377.
2020. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, Y.E. Vekovshinin, A.V. Slyshkin, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Fabrication and characterization of a single monolayer NiSi2 sandwiched between a Tl capping layer and a Si(111) substrate. 2D Materials, 2020, Vol. 7, No.2, P.025009-9.
2021. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D. V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, Y.P. Ivanov, D.A. Olyanich, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Metal sheet of atomic thickness embedded in silicon. ACS Nano, 2021, Vol.15, No.12, 19357–19363.
2023. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Alloying with Ga promotes superconductivity in single-atomic Pb layer on Si(111). Journal of Alloys and Compounds, 2023, Vol. 969, P. 172453-5.
2023. A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Yu.E. Vekovshinin, T.V. Utas, D.V. Gruznev, Jyh-Pin Chou, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Large-scale thallene film with emergent spin-polarized states mediated by tin intercalation for spintronics applications. Materials Today Advances, 2023, Vol.18, P.100372-7.
2022. A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, A.A. Yakovlev, Y.E. Vekovshinin, A.N. Mihalyuk, D.V. Gruznev, N.S. Denisov, A.V. Matetskiy, A.Yu. Aladyshkin, A.V. Zotov, A.A. Saranin. 2D system incorporating perforated Mg sheet sandwiched between Pb layer and Si(111). Applied Surface Science, 2022, Vol.589, P.152951-6
2020. A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, Y.E. Vekovshinin, A.A. Yakovlev, A.N. Mihalyuk, D.V. Gruznev, C.R. Hsing, C.M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Double- atomic-layer Tl-Mg compound on a Si(111) surface with advanced electronic properties. Physical Review B, 2020, Vol. 101, P. 235444-7
2022. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Gold interlayer promotes superconductivity in single- and double-atomic Pb layers on Si(100). Journal of Physical Chemistry Letters, 2022, Vol.13, P.10479-10485.
2023. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.S. Zhdanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Few monolayer Ga film on Si(111): Illusive gallenene formation and localization instead of superconductivity. Mol. Syst. Des. Eng., 2023, Vol.8, P.604-610.