Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
История института
Награды, премии, почетные звания
Академики, члены-корреспонденты РАН
О нас в СМИ
Документы
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Международное сотрудничество
Проведение конференций
Конкурсы
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Прием в целевую аспирантуру
Список аспирантов (на 1 октября 2024 года)
Противодействие коррупции
Котляр Василий Григорьевич
Степень:
доктор физико-математических наук
Должность:
ведущий научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория технологии полупроводников и диэлектриков (№104)
Кабинет:
315
Внутр. телефон:
1-96
Email:
vasily@iacp.dvo.ru
Публикации:
2023
2022
2021
2020
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
Доклады
Материалы / тезисы конференций
Статьи в журналах
2014. A.V. Zotov, D.A. Olyanich, T.V. Utas, O.A. Utas, V.G. Kotlyar, A.A. Saranin. Mobility of artificial vacancies within C60 monomolecular layer // Proceedings of 22nd International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, June 23-27, 2014, Saint Petersburg, Russia. Saint Peterburg: St Petersburg Academic University, 2014, P.124-125.
2013. В.Г. Котляр, Б.К. Чурусов, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, Д.В. Грузнев, А. В. Зотов, А.А. Саранин. Модификация держателя образца для сканирующего туннельного микроскопа VT STM (OMICRON). ПТЭ, 2013, № 6, С. 105-109.
2023. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Alloying with Ga promotes superconductivity in single-atomic Pb layer on Si(111). Journal of Alloys and Compounds, 2023, Vol. 969, P. 172453-5.
2015. А.А. Алексеев, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, В.Г. Котляр, А.В. Зотов, А.А. Саранин. СТМ-наблюдение сверхтонких эпитаксиальных пленок CoSi2(111), выращенных при высокой температуре. ЖТФ, 2015, Т. 85, вып. 10, С. 94-100.
2013. Dmitry A Olyanich, Vasily G Kotlyar, Tatiana V Utas, Andrey V Zotov and Alexander A Saranin. The manipulation of C60 in molecular arrays with an STM tip in regimes below the decomposition threshold. Nanotechnology, 2013, Vol.24, P.055302-8
2014. D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.A. Alekseev, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Structure of the Co/Si(111)√13x√13 surface revisited. Surface Science, 2014, Vol.625, P.57-63.
2016. Н.И. Солин, Л.Н. Ромашев, С.В. Наумов, А.А. Саранин, А.В. Зотов, Д.А. Олянич, В.Г. Котляр, О.А. Утас. Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников. ЖТФ, 2016, Т. 86, вып. 2, С. 78-84.
2022. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Gold interlayer promotes superconductivity in single- and double-atomic Pb layers on Si(100). Journal of Physical Chemistry Letters, 2022, Vol.13, P.10479-10485.
2014. А.В. Зотов, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, В.Г. Котляр, А.А. Саранин. Динамическое поведение вакансий в молекулярном массиве C60 // Труды XVIII-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта 2014 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2014, Т.1, С. 249-250.
2012. E.N. Chukurov, A.A. Alekseev, V.G. Kotlyar, D.A. Olyanich, A.V. Zotov, A.A. Saranin. First-principles study of Si(111) root31xroot31-In reconstruction. Surface Science, 2012, Vol. 606, P.1914-1917
2021. A.N. Mihalyuk, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Solving a long-standing problem regarding atomic structure of Si(100)2x3-Ag. The Journal of Physical Chemistry Letters, 2021, Vol.12, P.9584-9587.
2011. M.Y. Lai, J.P. Chou, O.A. Utas, N.V. Denisov, V.G. Kotlyar, D. Gruznev, A. Matetsky, A.V. Zotov, A.A. Saranin, C.M. Wei, Y.L. Wang. Broken even/odd symmetry in self-selection of distances between nanoclusters due to presence/absence of topological solitons. Phys.Rev.Lett., 2011, V.106, P.166101(4)
2014. D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.A. Alekseev, V.G.Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin. The initial stages of the Co uniform nanofilms formation on Si(111) // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-24
2016. V.G. Kotlyar, A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Scanning tunneling microscopy study of the early stages of epitaxial growth of CoSi2 and CoSi films on Si(111) substrate: Surface and interface analysis. Thin Solid Films, 2016, Vol. 619, P. 153-159.
2020. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Atomic, electronic and transport properties of In-Au 2D compound on Si(100). J. Phys.: Condens. Matter, 2020, Vol.32, P. 135003-7.
2017. V.G. Kotlyar, A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. The (2x2) reconstructions on the surface of cobalt silicides: Atomic configuration at the annealed Co/Si(111) interface. Surface Science, 2017, Vol. 662, P. 6-11.
2020. V.G. Kotlyar, O.A. Utas, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surface reconstructions in Pb/Si(100) system: Composition and atomicarrangement. Surface Science, 2020, Vol.695, P.121574-7.
2018. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Two-dimensional metallic (Tl, Au)/Si(100)c(2×2): A Rashba-type system with C2v symmetry. Phys.Rev. B, 2018, Vol.98, P. 125428-6.
2014. D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin, L. N. Romashev, N.I. Solin, V.V. Ustinov. C60 layer growth on the Co/Si(111)√7x√7 surface. Applied Surface Science, 2014, Vol.292, P.954-957.
2012. V.G. Kotlyar, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Self-assembly of C60 fullerenes on quasi-one-dimensional Si(111)4x1-In surface. Surface Science, 2012, Vol. 606, P.1821-1824
2014. A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Structure of the Co/Si(111) √13x√13 surface revisited // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-2.