Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
История института
Награды, премии, почетные звания
Академики, члены-корреспонденты РАН
О нас в СМИ
Документы
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Международное сотрудничество
Проведение конференций
Конкурсы
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Прием в целевую аспирантуру
Список аспирантов (на 1 октября 2024 года)
Противодействие коррупции
Луняков Юрий Вилорьевич
Степень:
кандидат физико-математических наук
Должность:
научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория технологии полупроводников и диэлектриков (№104)
Кабинет:
326
Внутр. телефон:
2-79
Email:
luniakov@iacp.dvo.ru
Публикации:
2022
2021
2020
2019
2018
2015
2014
2013
2011
Материалы / тезисы конференций
Статьи в журналах
2022. A.S. Gouralnik, Yu.V. Luniakov. Mg/Si interface reaction: How and why. Towards rational technologies of Mg2Si film growth for energy conversion. Vacuum, 2022, Vol.196, P.110798-4.
2011. Y.V. Luniakov. First principle simulations of the surface diffusion of Si and Me adatoms on the Si(111)√3×√3-Me surface, Me = Al, Ga, In, Pb. Surf.Sci., 2011, Vol.605, P.1866-1871
2019. S.A. Dotsenko, Yu.V. Luniakov, A.S. Gouralnik, A.K. Gutakovskiy, N.G. Galkin. Silicide phase formation by Mg deposition on amorphous Si. Ab initio calculations, growth process and thermal stability. Journal of Alloys and Compounds, 2019, Vol.778, P.514-521.
2018. Ю.В. Луняков. Новая возможная структура силицида Mg2Si под давлением. ФТТ, 2018, Т. 60, вып. 5, Р. 864-867.
2020. Ю.В. Луняков. Силицид Mg2Si под давлением: результаты эволюционного поиска из первых принципов. ФТТ, 2020, Т. 62, вып.5, С.783-787.
2022. Ю. В. Луняков. Германид Mg2Ge под давлением: результаты эволюционного поиска из первых принципов. ФТТ, 2022, Т. 64, вып.10, С.1440-1446.
2021. Ю.В. Луняков. Станнид Mg2Sn под давлением: результаты эволюционного поиска из первых принципов. ФТТ, 2021, Т. 63, вып. 4. С.452-456.
2014. E.N. Chukurov, N.V. Denisov, Yu.V. Luniakov, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.A. Yakovlev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Computer study of two-dimensional surface alloy Si(111)4×4-(Bi,Ag) // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-9
2015. Ю.В. Луняков, С.А. Балаган. Модуль упругости кремниевых и германиевых фуллеренов Si60 и Ge60 . ФТТ, 2015, Т.57, вып.6, С.1058-1063.
2014. Yu. Luniakov. DFT simulation of the extra Me adatom diffusion on the Ge(111) √3x√3 1/3 ML induced surfaces. Solid State Phenomena, 2014, Vol. 213, P.12-18.
2015. DFT evolutionary search for Mg2Si under pressure
2018. Ю.В. Луняков. Новая возможная структура силицида Mg2Si под давлением. ФТТ, 2018, Т. 60, вып. 5, Р. 864-867.
2013. Yu.V. Luniakov. Extra metal adatom surface diffusion simulation on 1/3 ML Si(111) √3x√3 metal-induced surfaces. Physica Scripta, 2013, V.88, P.035604-8.
2014. N.V. Denisov, E.N. Chukurov, Yu.V. Luniakov, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.A. Yakovlev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Two-dimensional bismuth–silver structures on Si(111). Surface Science, 2014, Vol. 623, P.17-24