Лаборатория гибридных структур (№102)


102

Заведующий лабораторией - доктор физико-математических наук,
Коробцов Владимир Викторович
 
Состав лаборатории:
Всего сотрудников - 5,
научных сотрудников – 4, из них:
докторов наук - 1,
кандидатов наук - 3.



Основные направления научных исследований
•    Изучение процессов  роста легированных и нелегированных пленок кремния и формирования многослойных гетероструктур в условиях сверхвысокого вакуума.
•    Определение электрофизических характеристик и других физических свойств выращиваемых наноструктур.
•    Развитие метода молекулярно-лучевой эпитаксии для получения новых объектов и материалов для физических исследований и создания гибридных структур для элементов микро-, нано-, и оптоэлектоники.

 


 

Основные результаты
•    Изучена динамика процессов взаимодействия потоков B2O3 с Si(111) и Si(100) поверхностями: определены лимитирующая стадия и кинетические характеристики разложения оксида бора.
•    Обнаружен эффект селективной адсорбции газовых компонент из воздушной атмосферы на поверхности кремния с ориентацией (111), модифицированной бором, и изучена возможность его применения для синтеза на этой поверхности островков гексагонального нитрида бора.
•    Установлено, что туннельно-тонкий слой SiO2, полученный химическим окислением, является термически и химически стабильным по отношению к потоку Fe в широком диапазоне температур (20-450°С) что дает возможность его использования для формирования наноразмерных островков железа.
•    Определены условия формирования тонких пленок магнетита на химически окисленной поверхности кремния методом реактивного осаждения железа в атмосфере кислорода.
•    Обнаружены особенности планарного токопереноса в системе Fe3O4/SiO2/Si в зависимости от температуры, типа проводимости и уровня легирования кремниевой подложки
 

Основные публикации
1.    Shaporenko A.P., Korobtsov V.V., Balashev V.V. Si growth on the Si(111)-B surface phase depending on the type of surface phase formation and initial boron coverage. SPIE Proceedings. 2000, 4086, pp.112-115 .
2.    Korobtsov V.V., Balashev V.V., Bazarsad Kh. B2O3 decomposition on Si(100) surface // Physics of Low Dimensional Structures,  2006, 2, pp.34-41.
3.    В.В. Балашев, В.В. Коробцов, Т.А. Писаренко, Е.А Чусовитин, К.Н. Галкин. Исследование сверхтонких пленок силицида железа, выращенных твердофазной эпитаксией на поверхности Si(001) // Физика твердого тела, 2010, 52, №2, с.370-376.
4.    Балашев В.В., Коробцов В.В., Писаренко Т.А., Чеботкевич Л.А. Особенности формирования пленки Fe3O4 на поверхности Si(111), покрытой тонким слоем SiO2 // Журнал технической физики, 2011, 81, в.10.  c.122-128.
5.    В.А. Викулов, В.В. Балашев, Т.А. Писаренко, А.А. Димитриев, В.В. Коробцов Влияние температуры синтеза на структурные и магнитные свойства пленок Fe3O4 на поверхности SiO2/Si(001). // Письма в Журнал технической физики, 2012, 38, в.7. с.73-80.
6.    В.А. Викулов, В.В. Балашев, Т.А. Писаренко, А.А. Димитриев, В.В. Коробцов Тонкие пленки магнетита на окисленной поверхности кремния: исследование методом комбинационного рассеяния света. // Письма в Журнал технической физики, 2012, 38, в.16.  с.87-94.
7.    V.A. Vikulov, A.A. Dimitriev, V.V. Balashev, T.A. Pisarenko, A.M. Maslov, V.V. Korobtsov. Electrical transport features in Fe3O4/SiO2/n-Si hybrid structures // Solid State Phenomena, 2014, 213, pp.56-59.
8.    T.A. Pisarenko , V.V. Korobtsov , V.A. Vikulov, A.A. Dimitriev , V.V. Balashev.  The influence of seed layer on growth of magnetite films on the SiO2/Si(001) surface // Solid State Phenomena, 2014, 213,  pp.51-55.
9.    N.V. Volkov, A.S. Tarasov, D.A. Smolyakov, A.O. Gustaitsev, V.V. Balashev, and V.V. Korobtsov. The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier // Applied Physics Letters, 2014, 104,  pp.222406-222410.
10.    В.В. Балашев, В.А. Викулов, Т.А. Писаренко, В.В. Коробцов. Влияние давления кислорода на текстуру пленки магнетита, выращенного методом реактивного осаждения на поверхности SiO2/Si(001). // Физика твердого тела, 2015, 57, №12, с.2458-2462.

________________________________________