Лаборатория оптики и электрофизики (№105)


105

Научный руководитель лаборатории - Галкин Николай Геннадьевич, доктор физико-математических наук, профессор по специальности, заместитель директора ИАПУ ДВО РАН по научно-образовательной и инновационной деятельности.

История лаборатории 

Лаборатория оптики и электрофизики была организована 26 июня 1995 года и вошла в состав Научно-технологического центра полупроводниковой микроэлектроники, а затем - в отдел физики поверхности. Заведующим лабораторией с момента ее организации по настоящее время является д.ф.-м.н. Галкин Николай Геннадьевич. В 2014 году в состав лаборатории вошел сектор физики квантоворазмерных структур (КРС), который возглавляет д.ф.-м.н. Николай Иннокентьевич Плюснин.
За период становления и развития лаборатории с 1995 года по 2015 год был получен ряд фундаментальных результатов в областях физики межфазных границ раздела, физики тонких пленок и мультислойных гетероструктур и развиты методики исследования оптических, электрических и магнитных свойств, как в условиях сверхвысокого вакуума, так и на воздухе.
За это время опубликовано более 100 статей в российских и международных журналах и более 50 статей в трудах международных и всероссийских конференций.
Сотрудниками лаборатории и сектора, а также аспирантами защищены три докторские и одиннадцать кандидатских диссертаций.
Лаборатория активно участвует в подготовке студентов на базовой кафедре ДВГУ (теперь ДВФУ), что позволяет делать набор в аспирантуру и пополнять коллектив лаборатории.
Ведется плодотворное научное сотрудничество с Институтом технической физики и материаловедения ВАН (Венгрия, Будапешт), Институтом физики ЧАН (Чехия, Прага), Институтом физики Вроцлавского технического университета (Польша, Вроцлав), Институтом физики НАН Беларуси (Беларусь, Минск), Университетом Шизуока (Япония, Хамаматсу), Национальной физической лабораторией (Индия, Дели), Институтом физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), Казанским физико-техническим институтом КазНЦ РАН (Казань), Институтом физики СО РАН (Красноярск), Амурским государственным университетом и Дальневосточным геологическим институтом ДВО РАН.

 

Преподавательская деятельность сотрудников лаборатории

 Четыре сотрудника лаборатории являются совместителями в Дальневосточном федеральном университете: д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин (руководитель бакалаврской и магистерской программ «Электроника и наноэлектроника», профессор кафедры Физики низкоразмерных систем (ФНС) ШЕН  ДВФУ), к.ф.-м.н. А.М. Маслов (доцент по кафедре ФНС ШЕН  ДВФУ), к.ф.-м.н. Д.Л. Горошко (доцент по кафедре ФНС ШЕН  ДВФУ), к.ф.-м.н. С.А. Доценко (доцент по кафедре ФНС ШЕН  ДВФУ). Сотрудниками лаборатории читается 8 лекционных курсов у студентов бакалавриата 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», и ведутся практические и лабораторные занятия. Лабораторные практикумы у студентов 4 и 5 курса ФНС ШЕН  ДВФУ ведут научные сотрудники к.ф.-м.н. К.Н. Галкин и к.ф.-м.н. Е.А. Чусовитин. Без оформления в штат кафедры ФТМПМ занимается со студентами и ведет организационные дела кафедры ФНС ШЕН ДВФУ к.ф.-м.н. С.В. Чусовитина.

 

Организована и работает базовая кафедра «Физики и технологии наноэлектроники» как филиал основной кафедры «Физики низкоразмерных структур» ШЕН ДВФУ. Заведующий базовой кафедрой д.ф.-м.н., профессор Н.Г. Галкин.

 

Разработаны и внедрены в учебный процесс в ДВФУ восемь учебно-методических комплексов (УМКД):

 

  1. УМКД «Физико-химия нанокластеров и наноструктур», д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин.

  2. УМКД «Основы нанолитографии», д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин.

  3. УМКД «Наноэлектроника», к.ф.-м.н. А.С. Доценко.

  4. УМКД «Процессы получения наночастиц и наноматериалов, нанотехнологии», д.ф.-м.н. Д.Л. Горошко и к.ф.-м.н. С.В. Чусовитина.

  5. УМКД «Оптические и транспортные свойства наноструктур», д.ф.-м.н. Д.Л. Горошко.

  6. УМКД «Физика и технология квантовых приборов», д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин.

  7. УМКД «Твердотельная электроника, оптоэлектроника, спинтроника», к.ф.-м.н. А.М. Маслов.

  8. УМКД «Дифференциальная оптическая отражательная спектроскопия наносистем», к.ф.-м.н. С.А. Доценко.

 

Основные направления научных исследований

 

  • Развитие физических основ технологии роста новых материалов на основе кремния и встроенных в кремниевую решетку нанокристаллов полупроводниковых силицидов.

  • Исследование и моделирование оптических, электрических и магнитных свойств материалов с пониженной размерностью на основе кремния.

  • Разработка и исследование свойств новых видов полупроводниковых приборов на кремнии с использованием систем пониженной размерности.

    Основные результаты

 

  • Предложен и реализован принципиально новый подход для исследования электрических свойств двумерных материалов в условиях сверхвысокого вакуума на основе двухчастотных Холловских измерений, определены электрические параметры и механизмы рассеяния носителей в двумерных неупорядоченных пленках металлов (хром, железо, магний, иттербий, марганец, кальций, сурьма) и упорядоченных поверхностных фазах металлов (хром, железо, магний, алюминий) на кремнии, обнаружены поверхностные фазы на кремнии, обладающие как металлическими, так и полупроводниковыми свойствами.

  • Развита методика дифференциальной отражательной спектроскопии в условиях сверхвысокого вакуума на базе скоростного многоканального спектрофотометра и методики обработки спектров дифференциального отражения, что позволило впервые получить данные об оптических свойствах низкоразмерных и нанокристаллических материалов на кремнии в процессе их роста на поверхности кремния.

  • Развитие методики сверхвысоковакуумных измерений магнитооптического эффекта Керра позволило исследовать процесс формирование ферромагнитных свойств островковых пленок железа на кремнии, что важно для создания приборов кремниевой спинтроники.

  • Систематизированы и обобщены данные по структуре, электрическим, фотоэлектрическим и оптическим свойствам толстых эпитаксиальных пленок дисилицидов хрома, железа и марганца и силицидов магния и кальция, выявлены особенности их зонной энергетической структуры, влияющие на оптические, фотоэлектрические и термоэлектрические свойства.

  • Выявлены особенности самоформированиянаноразмерных островков полупроводниковых силицидов хрома, железа и магния на кремнии и оптимизированы технологические параметры этого процесса. На основе разработанных методик впервые выращены монолитные многослойные нанокристаллические материалы с уникальными термоэлектрическими и люминесцентными свойствами на основе кремния и силицидов железа, хрома и магния, исследована их структура, оптические, электрические и люминесцентные свойства, а также приборные свойства меза-диодных структур, полученных на их основе.

  • Обнаружен новый механизм миграции в трехслойных гетероструктурах со встроенными нанокристаллами (НК) дисилицида хрома (CrSi2)по даннымвысокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии на поперечных срезах. При встраивании в эпитаксиальный слой кремния НК CrSi2 с размерами 10-30 нм перемещается из положения около границы первого слоя через канал толщиной до 5 нм в другое положение около границы следующего слоя или поверхности образца.

  • Показано, что поверхностная фаза (ПФ) Si(100)-c(4x12)-Al, предварительно сформированная на Si(100), при осаждении на нее железа блокирует при комнатной температуре перемешивание атомов Fe и подложки. Установлено, что подвижность основных носителей заряда и проводимость данной ПФ выше на 16%, чем в Si(100)2x1 при температурах 20-180оС. Осаждение железа на ПФ Si(100)-c(4x12)-Al приводит к росту проводимости, что хорошо описывается перколяционной теорией с критическим покрытием железа 0.3 нм. Определено, что сплошная пленка железа с металлической проводимостью формируется на ПФ Si(100)-c(4x12)-Al при покрытии примерно в два раза меньшем по сравнению с осаждением на Si(100)2x1.

  • Предложена модель прыжковой проводимости дырок в валентной зоне в ква-зидвумерной проводящей системе, образованной нанокристаллитами внутри одной кристаллографической плоскости полупроводника. Модель объясняет впервые обнаруженный характер температурных изменений сопротивления в образце с нанокристаллитами CrSi2 в плоскости Si(111), высокую подвижность носителей при 20-30 К и гигантское магнетосопротивление, уменьшающееся с ростом температуры.

  • Исследованы электронная структура и морфология пленок силицида кальция, сформированных методом реактивной эпитаксии при 130 оС на пленке Mg2Si и при 500 оС на атомарно-чистой поверхности кремния Si(111)7x7, а также их оптические и электрические свойства. Формирование новой фазы силицида кальция с высокой концентрацией кремния, непрямой шириной запрещенной зоны 0.63 эВ, высокой проводимостью носителей при низких температурах (50-450 К) было обнаружено после осаждения кальция на Si(111)7x7 при 500 оС.

  • Высокие внутренние напряжения, возникающие при перемешивании Mg с аморфным кремнием (a-Si) при комнатной температуре, привели к формиро-ванию на начальном этапе осаждения Mg (2 нм) гексагональной фазы h-Mg2Si, обычно наблюдающейся при высоких давлениях и температурах. Установлено, что h-Mg2Si является полупроводниковой фазой с новым пиком при 1.8 эВ (Рис. 2) в спектрах дифференциальной отражательной спектроскопии (ДОС). Показано, что на более поздних стадиях осаждения Mg начинает формироваться кубическая фаза c-Mg2Si.

  • Впервые продемонстрировано, что встраивание НК двух полупроводниковых силицидов приводит к заметному расширению спектральной чувствительности кремниевых фотодиодов в область ниже края фундаментального поглощения в кремнии на 0.5 эВ. Установлено, что внедрение в кремний нанокристаллитов (НК) b-FeSi2 даёт прирост фотоответа в области энергии – 0,85 eV, в то время как присутствие CrSi2 в виде напряженных НК увеличивает чувствительность в районе 0,65-0.7 эВ. Наибольшее увеличение чувствительности в диапазоне 0,7-0,9 эВ обнаружено в восьмипериодной мезадиодной гетероструктуре Si/beta-FeSi2_NCs/Si/…/Si (в 1000 раз больше при 120 К по сравнению с кремниевым фотодиодом).

  • Созданы кремниевые светодиоды со встроенными  в р-слой кремния нанокристаллитами (НК) b-FeSi2 с использованием методов твердофазной эпитаксии (ТФЭ) и комбинации ТФЭ и реактивной эпитаксии (РЭ). В светодиодах с НК, сформированными комбинацией ТФЭ и РЭ, наблюдается заметная электролюминесценция (ЭЛ) до температуры не выше 70 К, а высококачественные бездефектные светодиоды с НК, сформированные методом ТФЭ, впервые продемонстрировали интенсивную ЭЛ при 300 К в диапазоне энергий 0.78-1.08 эВ при плотностях тока накачки менее 1 А/см2.

 

http://www.iacp.dvo.ru/images/structure/galkin_2011_1.jpg

http://www.iacp.dvo.ru/images/structure/galkin_2011_2_3.jpg

Изображение поперечного сечение 8-слойной эпитаксиальной гетероструктуры со встроенными нанокристаллами β-FeSi2, полученное с помощью просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения

Высокоразрешающие изображения в просвечивающем электронном микроскопе встроенных в кремниевую решетку шарообразных нанокристаллов β-FeSi2 (а)и CrSi2 (б)

 

 

 

 

 

Высокоразрешающее изображение поперечного среза образца с высокоплотными встроенными слоями нанокристаллитов полупроводникового дисилицида железа (b-FeSi2) в монокристаллическом кремнии с ориентацией (100). На данных структурах со встроенным p-n переходом созданы светодиоды и фотодиоды на диапазон энергий 1.3-1.6 эВ.

 

 

 

Основные публикации

 

  1. N.G. Galkin. Approaches to growth of multilayer silicon - silicide heterostructures with semiconductor silicide nanocrystallites. // Thin Solid Films, 515 (2007) 8179 - 8188.
  2. K.N. Galkin, Mahesh Kumar, Govind, S.M. Shiva Prasad, V.V. Korobtsov, N.G. Galkin. Temperature dependence of adsorption and silicidation kinetics at the Mg/Si(111). // Thin Solid Films, 515 (2007) 8192 - 8196.
  3. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.O. Polyarnyi, E.A. Chusovitin, W. Park, Y.S. Park, Y. Khang, A.K. Gutakovsky, and A.V. Latyshev. Silicon layers atop iron silicide islands on Si(100) substrate: island formation, silicon growth, morphology and structure // Thin Solid Films, V. 515 (No 20-21) (2007) 7805-7812.
  4. N.G. Galkin, L. Dozsa, T.V. Turchin, D.L. Goroshko, B.Pecz, L. Toth, L. Dobos, N.Q. Khanh, and A.I. Cherednichenko. "Properties of CrSi2 nanocrystallites grown in silicon matrix" // J. Phys.C: Condensed Matter, 19 (2007) 506204 (13 рр).
  5. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, V.O. Polyarnyi, R.M. Bayazitov, and R.I. Batalov. T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev. Morphological, structural and luminescence properties of Si/ b-FeSi2/Si heterostructures fabricated by Fe ion implantation and Si MBE. // J. Phys. D: Appl. Phys, 40 (2007) 5319-5326.
  6. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.O. Polyarnyi, E. A. Chusovitin, V.V. Korobtsov, V.V. Balashev, Y. Khang, L. Dozsa, A.K. Gutakovsky, A.V. Latyshev, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, Investigation of multilayer silicon structures with buried iron silicide nanocrystallites: growth, structure and properties. // Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2008, v. 8, No 2, p. 527 -534.
  7. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, S.A. Dotsenko, and T.V. Turchin. Self-organization of CrSi2 nanoislands on Si(111) and growth of monocrystalline silicon with buried multilayers of CrSi2 nanocrystallites. // Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2008, v. 8, No 2, p. 557 - 563.
  8. A.S. Gouralnik, N.G. Galkin, D.L. Goroshko, S.A. Dotsenko, A.A. Alekseev, V.A. Ivanov. Growth and magnetic properties of the sandwich structure Fe/magnetic silicide/Si(100) obtained from in situ magneto-optic data // Solid State Communications, 2009,V. 149, pp. 1292-1295.
  9. N.G. Galkin, L. Dozsa, E.A. Chusovitin, B Pecz, L Dobos. Migration of CrSi2 nanocrystals through nanopipes in the silicon cap // Applied Surface Science, 256 (2010) 7331-7334.
  10. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, T.S. Shamirsaev, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev. Growth, structure and luminescence properties of multilayer Si/-FeSi2 NCs/Si/.../Si nanoheterostructures// Thin Solid Films, 2011 (doi: 10.1016/j.tsf.2011.05.022).
  11. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, A.V. Shevlyagin, A.A. Saranin, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, and A.V. Latyshev “Room temperature 1,5 mm light-emitting silicon diode with embedded b-FeSi2 nanocrystallites” // Applied Physics Letters, 101 (2012) 163501 (1-4). 
  12. S.A. Dotsenko, K.N. Galkin, D.A. Bezbabny, D.L. Goroshko, N.G. Galkin “Formation, optical and electrical properties of a new semiconductor phase of calcium silicide on Si(111)” // Physics Procedia, 23 (2012), P. 41-44.
  13. S.V. Vavanova, K.N. Galkin, N.G. Galkin, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov “Synthesis of Mg2Si precipitates in Mg-implanted silicon by pulsed ion-beam treatment” // Physics Procedia, 23 (2012), P. 29-32.
  14. Galkin N.G., Vavanova S.V., Galkin K.N., Batalov R.I., Bayazitov R.M., Nuzhdin V.I. “Pulsed nanosecond annealing of magnesium-implanted silicon” // Technical Physics, 2013,  V. 58, Issue 1, pp. 94-99.
  15. L. Dozsa, G. Molnar, Z. Zolnai, L. Dobos, B. Pecz, S. A. Dotsenko, N.G. Galkin,  D.A. Bezbabny, D.V. Fomin. “Formation and characterization of semiconductor Ca2Si layers prepared on p-type silicon covered by an amorphous silicon cap” // J. Mater. Sci. 2013. – Vol. 48. -  Issue: 7. pp.  2872-2882.
  16. Gouralnik A. S., Dotsenko S.A.,  Galkin N.G., Ivanov V.A., Plotnikov V.S., Pustovalov E.V., Cherednichenko A.I. Gutakovski A.K., Neklyudova M.A. “Formation of iron and iron silicides on silicon and iron surfaces. Role of the deposition rate and volumetric effects” // Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2013, V. 112, Issue 2, pp. 507-515.
  17. Н.Г. Галкин, Д.А. Безбабный, К.Н. Галкин, И.М. Чернев, А.В. Вахрушев, “Формирование, оптические и электрические свойства пленок Ca3Si4 и двойных гетероструктур Si/Ca3Si4/Si(111)” // Химическая физика и мезоскопия, 2013. – том. 15, № 3. C. 385 - 392.
  18. D.A. Bezbabny, K.N. Galkin, S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, E. Zielony, R. Kudrawiec and J.  Misiewicz. "Formation and optical properties of semiconducting thick Ca silicide films and Si/CaxSi/Si heterostructures on Si(111) substrate" // Physica Status Solidi C, 10, № 12, 1819-1823, 2013.
  19. K.N. Galkin, N.G. Galkin, L. Dozsa, S.A. Dotsenko, I.M. Chernev, S.V. Vavanova, L. Dobos, B. Pecz.  “Growth, structure, optical and electrical properties of Si/2D Mg2Si/Si(111) double heterostructures and Schottky diodes on their base “ // Physica Status Solidi C, 10, №12, 1720-1723, 2013.
  20. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, K.N. Galkin and S.A. Dotsenko. “Silicon-silicide quasi-zero dimensional heterostructures for silicon based photonics, opto- and thermoelectronics” // Physica Status Solidi C, 10, №12, 1670-1676, 2013.
  21. N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, R. Fajgar, T.H. Stuchlikova, Z. Remes, J. Stuchlik. "Technological possibilities of Si:H thin film deposition with embedded cubic Mg2Si nanoparticles" // Physica Status Solidi C, 10, №12, 1712-1716, 2013.
  22. D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, A.V. Shevlyagin, M.V. Bozhenko, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov and N.G. Galkin. “Enhancement of Near IR Sensitivity of Silicide Based Photodetectors” // Physica Status Solidi, C, 10, №12, 1844-1846, 2013.
  23. K.N. Galkin, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, H.A. Novikov, V.A. Shustov, D.A. Bizyaev, P.I. Gaiduk, G.D. Ivlev, S.L. Prokopyev Structural and optical properties of magnetron sputtered and pulsed beam annealed Ge/Si layers // Physica Status Solidi C, 10, №12, 1824-1827, 2013.
  24. A.S. Gouralnik, Ko-Wei Lin, S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, V.S. Plotnikov, E.V. Pustovalov, A.I Cherednichenko, S.V. Vavanova, A.V. Shevlyagin, A.K. Gutakovski and M.A. Neklyudova. “Brief observe on iron silicide growth on amorphous silicon” // Physica Status Solidi C, 10, №12, 1742-1745, 2013.  
  25. V.V. Andrievskii, Yu.F. Komnik, I.B. Berkutov, I.G. Mirzoiev, N.G. Galkin, D.L. Goroshko. “Kinetic properties of two-dimensional conducting system formed by CrSi2 nanocrystallites in plane (111) of silicon” // Physica Status Solidi B, 251, Issue 3 (2014) 601-608 (DOI: 10.1002/pssb.201349209).
  26. N.G. Galkin, D.A. Bezbabnyi, S.A. Dotsenko, K.N. Galkin, I.M. Chernev, E.A. Chusovitin, P. Nemes-Incze, L. Dosza, B. Pecz, T.S. Shamirzaev, A.K. Gutakovski. “Structure and optical properties of Ca silicide films and Si/Ca3Si4/Si(111) heterostructures” // Solid State Phenomena, V. 213 (2014) pp. 71-79. (doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.213.71).
  27. N.G. Galkin, Y.T. Yan, E.A. Chusovitin, A.B. Rasin, K.N. Galkin. M.V. Bozhenko, V.V. Mararov, V.M. Astashinsky, A.M. Kuzmitsky. “Influence of preliminary plasma processing on luminescent properties of porous silicon” // Solid State Phenomena, V. 213 (2014) pp. 90-95. (doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.213.90).
  28. Yu.F. Komnik. V.V. Andrievskii, I.B. Berkutov, I.G. Mirzoiev, N.G. Galkin, D.L. Goroshko. “The 2D conducting system formed by nanocrystallites CrSi2 in the (111) plane of silicon: New object” // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 64 (2014) 165 – 168.  DOI: 10.1016/j.physe.2014.07.008
  29. S.A. Dotsenko, A.S. Gouralnik, N.G. Galkin, K.N. Galkin, A.K. Gutakovski and M.A. Neklyudova. “Formation of Mg silicides on amorphous Si. Origin and role of high pressure in the film growth” // Materials Chemistry and Physics, 148, issue 3, 2014, 1078-1082 (DOI: 10.1016/j.matchemphys.2014.09.021).
  30. Т.С. Шамирзаев, Н.Г. Галкин, Е.А. Чусовитин, Д.Л. Горошко, А.В. Шевлягин, А.К. Гутаковский, А.А. Саранин, А.В. Латышев. «Светодиодные 1.5 - мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si» // Физика и техника полупроводников, т. 49, вып. 4, 2015, с. 519-523.  
  31. D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, I.M. Chernev, L. Dosza, B. Pecz, N.G. Galkin. "Formation and thermoelectric properties of stressed chromium disilicide nanocrystallites buried in the Si/CrSi2/Si(001) heterostructure" // Electronic  Materials  Letters, V. 11, No 3,  (2015), pp. 424-428.
  32. Новиков Г.А., Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Файзрахманов И.А., Лядов Н.М., Шустов В.А., Галкин К.Н., Галкин Н.Г., Чернев И.М., Ивлев Г.Д., Прокопьев С.Л., Гайдук П.И. «Импульснаямодификацияпленокгерманиянаподложкахкремния, сапфираикварца: структураиоптическиесвойства» // ФТП, т. 49, вып. 6., 2015, с. 746-752.
  33. Alexander Shevlyagin, Dmitry Goroshko, Evgeniy Chusovitin, Konstantin Galkin, and Nikolay Galkin. “Characterization of the silicon/β-FeSi2 nanocrystallites heterostructures for the NIR photodetection at low temperature” // JJAP, 54, 07 JB02 (2015) (doi: 10.7567/JJAP.54.07JB02).
  34. D.B. Migas, V.O. Bogorodz, A.B. Filonov, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, N.G. Galkin. Electronic properties of Ca2Si silicide: from bulk to nanostructures by means of first principal calculations // JJAP, 54, 07JA03 (2015)    doi: 10.7567/JJAP.54.07JA03.
  35. N.G. Galkin, K.N. Galkin, D.L. Goroshko, I.M. Chernev, A.V. Shevlyagin,L. Dózsa, Z. Osváth, and B. Pécz. “Non-doped and doped Mg stannide films on Si(111) substrate: formation, optical and electrical properties” // JJAP, 54, 07JA03 (2015).doi:10.7567/JJAP.54.07JC06.  
  36. N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, R. Faigar, T.H. Stuchlikova, J. Stuchlok, Z. Remes. “Formation and properties of p-i-n diodes based on hydrogenated amorphous silicon with embedded CrSi2, Mg2Si and Ca2Si nanocrystallites for energy conversion applications” // JJAP Conf. Proceed., 3 (2015) 011104(1-8). (doi:10.7567/JJAPCP.3.011104).
  37. N. G. Galkin, D. A. Bezbabnyi, K. N. Galkin, S. A. Dotsenko, I. M. Chernev, and A. V. Vakhrushev. Chapter 14: “Formation, Optical and Electrical Properties of Ca3Si4 Films and Si/Ca3Si4/Si(111) Double Heterostructures” in the book “Multifunctional Materials and Modeling”, Editors: M.A. Korepanov, A.M. Lipanov, 06/2015: chapter 15: pages 141-150; Apple Academic Press., ISBN: 13: 978-1-77188-087-9.
  38. N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, A.V. Shevlyagin, T.H. Stuchlikova, J. Stuchlik, Z. Remes. “Mg2Si, Ca2Si and CrSi2 nanoparticles for solar cells and light emitted diodes based on hydrogenated amorphous silicon on glass substrates” // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures,  NANOMEETING, 2015, 07-06, pp. 532-535.
  39. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, K.N. Galkin, A.V. Shevlyagin, I.M. Chernev, A.M. Maslov, S.A. Dotsenko, E.Y. Subbotin, L. Dosza, Z. Osvath, B. Pechz,  R. Kudrawiec and J. Misiewicz, “Semiconducting Mg2Sn and Mg2Ge nanolayers on Si(111) substrates: formation, structure and properties” //  Proceedings, Physics, Chemistry and Application of Nanostructures,  NANOMEETING, 2015, 01-33, pp. 128-131.