Лаборатория технологии полупроводников и диэлектриков (№104)
Лаборатория технологии полупроводников и диэлектриков (№104)
104
Заведующий лабораторией: член-корреспондент РАН Саранин Александр Александрович
Состав лаборатории
Всего сотрудников - 14, научных сотрудников - 8, докторов наук - 4, кандидатов наук - 6.
История лаборатории
Лаборатория создана в 1989 году на базе отдела №40. Первоначально лаборатория называлась "лаборатория полупроводников и диэлектриков". Затем в 1990 году после создания Научно-технологического центра полупроводниковой микроэлектроники лаборатория получила своё настоящее название "лаборатория технологии полупроводников и диэлектриков" (лаб.№104). Бессменным руководителем лаборатории является чл.-корр. РАН А.А. Саранин.
Основные направления научных исследований
Изучение процессов формирования, структуры и свойств субмонослойных пленок (поверхностных фаз) адсорбатов на поверхности полупроводниковых кристаллов.
Поиск путей управления структурой и свойствами наносистем и разработка на их основе функциональных элементов для полупроводниковой наноэлектроники
Основные результаты
Исследовано формирование упорядоченных наноструктур при взаимодействии атомов бериллия (Be) с нагретой поверхностью Si(111)7x7. В частности, были сформированы массивы, имеющие сотовую структуру. Анализ методом СТМ показал, что элементы, составляющие массив, имеют размер, состав и свойства аналогичные тем, что были предсказаны теоретически для нанотрубок Si, легированных Be [NanoLetters, 2004].
Исследованы обратимые фазовые переходы в системах пониженной размерности на основе пленок Tlна поверхности Si(100) [PhysicalReviewB, 2005; AppliedSurfaceScience, 2004], Tlна поверхности Ge(100) [PhysicalReviewB, 2007; SurfaceScience, 2007] и Inна поверхности Si(111) [PhysicalReviewB, 2006].
В системе Au/Si(111) обнаружены металлические состояния со спиновым расщеплением, обусловленным эффектом Рашбы [ScientificReports, 2013]. Оптические измерения показали, на поверхности Si(111)Ö3xÖ3-(Au,In) наблюдается десятикратное увеличение сигнала генерации второй гармоники [AppliedSurfaceScience, 2012]. Обнаружен и описан новый тип взаимодействия между магическими кластерами на поверхности кристалла [PhysicalReviewLetters, 2011].
Исследован островковый рост молекулярных слоев фуллерита на поверхностной реконструкции кремния Au/Si(111), модифицированной адсорбцией In. В слоях обнаружено формирование муарных суперструктур, основанных на топографических и электронных особенностях слоя и подложки. Установлен механизм отбора островков определенного размера и формы, управляемый формированием динамической картины муара, что открывает ранее неизвестный путь самоорганизации частиц и представляет собой новый подход для выращивания монодисперсных структур мезоскопического масштаба [NatureCommunications, 2013].
Предложена стратегиясоздания спин-расщепленных металлических состояний на кремнии путем формирования двумерных сплавов металла с сильным спин-орбитальным взаимодействием идругого подходящего металла. Эффективность этой стратегии продемонстрирована на примере формирования на поверхности кремния Si(111) двумерных сплавов Bi-Na и Tl-Pb, обладающих требуемыми свойствами. [Scientific Reports, 2013, 2014]
Рисунок. Трансформация неметаллических спин-расщепленных электронных состояний S1 (S1') на поверхности Bi/Si(111) в металлические спин-расщепленные состояния Σ1 (Σ1') при добавлении атомов Na и формировании двумерного сплава Bi-Na
Основные публикации
K. Oura, V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov, M. Katayama (Invited Review) Hydrogen interaction with clean and modified silicon surfaces. Surface Science Reports, 1999, 35(1-2), 1-74.
IF = 14.765
A.A. Saranin, A.V. Zotov, V.G. Kotlyar, T.V. Kasyanova, O.A. Utas, H. Okado, M. Katayama, K. Oura Ordered arrays of Be-encapsulated Si nanotubes on Si(111) surface. Nano Letters, 2004, V.4, №8, P.1469-1473.