ИАПУ ДВО РАН

Лаборатория гибридных структур (№102)


102

Заведующий лабораторией - доктор физико-математических наук,
Цуканов Дмитрий Анатольевич
 
Состав лаборатории:
Всего сотрудников - 5,
научных сотрудников – 4, из них:
докторов наук - 1,
кандидатов наук - 3.



Основные направления научных исследований

  • Изучение процессов формирования многослойных гетероструктур в условиях сверхвысокого вакуума.
  • Определение электрофизических характеристик и других физических свойств выращиваемых наноструктур.
  • Развитие метода молекулярно-лучевой эпитаксии для получения новых объектов и материалов для физических исследований и создания гибридных структур для элементов микро-, нано-, и оптоэлектоники.

 


 

Основные результаты

  • Установлено, что туннельно-тонкий слой SiO2, полученный химическим окислением кремния, является термически и химически стабильным по отношению к потоку Fe в широком диапазоне температур (20-450°С), что дает возможность его использования для формирования гибридных структур типа ферромагнетик-диэлектрик-полупроводник.
  • Определены условия формирования наноразмерных островков железа и тонких пленок магнетита на химически окисленной поверхности кремния.
  • Определены закономерности планарного токопереноса в системе Fe3O4/SiO2/Si в зависимости от температуры, типа проводимости и уровня легирования кремниевой подложки.
  • Выявлены особенности латерального фотофольтаического эффекта в гибридных структурах Fe/SiO2/Si и Fe3O4/SiO2/Si в зависимости от типа проводимости кремниевой подложки.

Основные публикации

1.       В.В. Балашев, В.В. Коробцов, Т.А. Писаренко, Е.А Чусовитин, К.Н. Галкин. Исследование сверхтонких пленок силицида железа, выращенных твердофазной эпитаксией на поверхности Si(001) // Физика твердого тела 2010, 52, №2, с.370-376.

2.     В.В. Балашев, В.В.К оробцов, Т.А. Писаренко, Л.А. Чеботкевич. Особенности формирования пленки Fe3O4 на поверхности Si(111), покрытой тонким слоем SiO2 // Журнал технической физики 81, в.10. 2011, c.122-128.

3.     В.А. Викулов, В.В. Балашев, Т.А. Писаренко, А.А. Димитриев, В.В. Коробцов. Влияние температуры синтеза на структурные и магнитные свойства пленок Fe3O4 на поверхности SiO2/Si(001). // Письма в Журнал технической физики 38, в.7. 2012, с.73-80.

4.     N.V. Volkov, A.S. Tarasov, D.A. Smolyakov, A.O. Gustaitsev, V.V. Balashev, andV.V. Korobtsov. The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier // Applied Physics Letters 104, 2014, pp.222406-22410.

5.     В.В. Балашев, В.А. Викулов, Т.А. Писаренко, В.В. Коробцов. Влияние давления кислорода на текстуру пленки магнетита, выращенного методом реактивного осаждения на поверхности SiO2/Si(001). // Физика твердого тела, 57, №12, 2015, с.2458-2462.

6.     A.S. Tarasov, M.V. Rautskii, A.V. Lukyanenko, M.N. Volochaev, E.V. Eremin, V.V. Korobtsov, V.V. Balashev, V.A. Vikulov, L. A. Solovyov, andN.V. Volkov. Magnetic, transport, and magnetotransport properties of the textured Fe3O4 thin films reactively deposited on SiO2/Si //Journal of Alloys and Compounds A, 688, 2016, pp. 1095-1100.

7.     V.A. Vikulov, A.A. Dimitriev, V.V. Balashev, T.A. Pisarenko, V.V. Korobtsov. Low-temperature conducting channel switching in hybrid Fe3O4/SiO2/n-Si structures // Materials Science and Engineering: B, 211, 2016, pp. 33-36.

8.     В.В. Балашев, В.А. Викулов, А.А. Димитриев, Т.А. Писаренко, Е.В. Пустовалов, В.В. Коробцов. Эволюция структурных и магнитотранспортных свойств пленок магнетита в зависимости от температуры их синтеза на поверхности SiO2/Si(001) // Физика металлов и металловедение, 118, №7, 2017, с 679-685.

9.     T.A. Писаренко, В.В. Балашев, В.A. Викулов, A.A.Димитриев, В.В. Коробцов. Сравнительное исследование латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe3O4/SiO2/n-Si и Fe3O4/SiO2/p-Si // Физика твердого тела, 60, № 7, 2018, c. 1311-1317.



________________________________________