2025
Физика и техника полупроводников, RSCI
Статьи в журналах
Физика и техника полупроводников. - 2025. – Т. 59, вып. 6. – С. 354-361
Д.А. Цуканов, С.Г. Азатьян, Н.В. Денисов, М.В. Рыжкова, Исследование роста и электрической проводимости сверхтонких пленок магния на поверхности Si(111), пассивированной висмутом // Физика и техника полупроводников. - 2025. – Т. 59, вып. 6. – С. 354-361
Представлены результаты исследования кристаллической структуры, морфологии и электрического сопротивления подложек Si(111) после осаждения магния на предварительно сформированные поверхностные реконструкции Si(111)3x3-Bi. Для исследования изменений структуры кристаллической решетки и морфологии поверхности использован метод дифракции медленных электронов и сканирующая туннельная микроскопия, а для измерения электрического сопротивления подложек - четырехзондовый метод в условиях in situ. Рассмотрено влияние концентрации адсорбированных атомов магния на структурные и электрические свойства пленок. Показана роль поверхностных реконструкций в качестве буферного слоя для последующего роста сверхтонких пленок магния.
10.61011/FTP.2025.06.61572.7739