Год: 2015

Автор: Галкин Н. Г., D.B. Migas, V.O. Bogorodz, A.B. Filonov, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko

Издание: Japanese Journal of Applied Physics, Q3

ISSN / ISBN: 1347-4065

Тип публикации: Статьи в журналах

Библиографическое описание: D.B. Migas, V.O. Bogorodz, A.B. Filonov, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, N.G. Galkin. Electronic properties of Ca2Si silicide: from bulk to nanostructures by means of first principal calculations // JJAP, V.54, 07JA03 (2015).

Импакт-фактор издания: 1.127

Название издания: Japanese Journal of Applied Physics

Импакт-фактор издания по РИНЦ:

Страна, город, издательство: IOP Science

Выходные данные: V.54, N.7S2

Ссылки: