ИАПУ ДВО РАН
  1. Главная
  2. Публикации
  3. Структура и свойства двойного слоя Tl на Si(111)

Структура и свойства двойного слоя Tl на Si(111)

2017

Материалы / тезисы конференций

Материалы XXI-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 13-16 марта 2017 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН

Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского

Т. 1

978-5-91326-371-1

Д.В. Грузнев, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, А.Н. Михалюк, C.R. Hsing, C.M. Wei, S. Ichinokura, S. Hasegawa, А.В. Зотов, А.А. Саранин. Структура и свойства двойного слоя Tl на Si(111) // Материалы XXI-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 13-16 марта 2017 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2017, Т. 1, С. 285-286.