Структура и свойства двойного слоя Tl на Si(111)


2017

Бондаренко Л. В., Грузнев Д. В., Зотов А. В., Саранин А. А., Тупчая А. Ю., А.Н. Михалюк, C.R. Hsing, C.M. Wei, S. Ichinokura, S. Hasegawa

Материалы / тезисы конференций

Д.В. Грузнев, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, А.Н. Михалюк, C.R. Hsing, C.M. Wei, S. Ichinokura, S. Hasegawa, А.В. Зотов, А.А. Саранин. Структура и свойства двойного слоя Tl на Si(111) // Материалы XXI-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 13-16 марта 2017 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2017, Т. 1, С. 285-286.

Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского

978-5-91326-371-1

Т. 1

Материалы XXI-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 13-16 марта 2017 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН