2019
Физика твердого тела, RSCI
Article
0367-3294
Феноменологические модели зарождения и роста металла на полупроводнике. © Н.И. Плюснин. Институт автоматики и процессов управления ДО РАН, Владивосток, Россия E-mail: plusnin@iacp.dvo.ru. Поступила в Редакцию 16 июля 2019 г. В окончательной редакции 16 июля 2019 г. Принята к публикации 25 июля 2019 г. ... Ключевые слова: смачивание, рост, взаимодействие пара с подложкой, система металл–полупроводник, электронная и оптическая спектроскопия. DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48567.07ks
На основе экспериментальных данных, полученных в одинаковых экспериментальных условиях с исполь- зованием метода осаждения из горячей стенки, обнаружены и выделены четыре режима роста металла на полупроводниковой подложке. Данные режимы реализуются при определенных соотношениях между поступательной кинетической энергией пара, осаждаемого на подложку, и его температурой. Предложен механизм адаптации к подложке нанофазного смачивающего покрытия металла, когда реализуется режим роста чистого металла, и структурная модель этого покрытия.
DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48567.07ks