Игнатович Константин Викентьевич
кандидат физико-математических наук
старший научный сотрудник
Лаборатория технологии полупроводников и диэлектриков (№104)
204
3-27
ignat@iacp.dvo.ru
- 2016. Characterization of In/Si(111) System by Optical Second-Harmonic Generation Saranin, Aleksandr A. and Ignatovich, Konstantin V. and Zotov, Andrey V. Solid State Phenomena 2016 v 247 pp 73-75
- 2016. Писаренко Т.А., Балашев В.В., Викулов В.А., Димитриев А.А., Игнатович К.В., Коробцов В.В. Тонкопленочный позиционно-чувствительный фотодетектор на основе Fe3O4/SiO2/Si структуры // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Кремний-2016). - Новосибирск, 12-15 сентября 2016. С.101.
- 2012. K.V. Ignatovich, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Characterization of Si(111)root3xroot3-(Au,In) surface by optical second-harmonic generation. Appl.Surf.Sci., 2012, Vol.258, Iss. 10, P.4642-4644.
- 2015. Characterization of In/Si(111) system by optical second-harmonic generation
- 2015. K.V. Ignatovich, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Characterization of In/Si(111) system by optical second-harmonic generation // Proceedings of Third Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2015), Vladivostok, Russia, August 19–26, 2015. Vladivostok: Dalnauka, 2015, P.76-77