Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
История института
Награды, премии, почетные звания
Академики, члены-корреспонденты РАН
О нас в СМИ
Документы
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Международное сотрудничество
Проведение конференций
Конкурсы
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Прием в целевую аспирантуру
Список аспирантов (на 1 октября 2024 года)
Противодействие коррупции
Луняков Юрий Вилорьевич
Степень:
кандидат физико-математических наук
Должность:
научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория технологии полупроводников и диэлектриков (№104)
Кабинет:
326
Внутр. телефон:
2-79
Email:
luniakov@iacp.dvo.ru
Публикации:
2022
2021
2020
2019
2018
2015
2014
2013
2011
Материалы / тезисы конференций
Статьи в журналах
2013. Yu.V. Luniakov. Extra metal adatom surface diffusion simulation on 1/3 ML Si(111) √3x√3 metal-induced surfaces. Physica Scripta, 2013, V.88, P.035604-8.
2014. N.V. Denisov, E.N. Chukurov, Yu.V. Luniakov, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.A. Yakovlev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Two-dimensional bismuth–silver structures on Si(111). Surface Science, 2014, Vol. 623, P.17-24
2014. Yu. Luniakov. DFT simulation of the extra Me adatom diffusion on the Ge(111) √3x√3 1/3 ML induced surfaces. Solid State Phenomena, 2014, Vol. 213, P.12-18.
2019. S.A. Dotsenko, Yu.V. Luniakov, A.S. Gouralnik, A.K. Gutakovskiy, N.G. Galkin. Silicide phase formation by Mg deposition on amorphous Si. Ab initio calculations, growth process and thermal stability. Journal of Alloys and Compounds, 2019, Vol.778, P.514-521.
2022. A.S. Gouralnik, Yu.V. Luniakov. Mg/Si interface reaction: How and why. Towards rational technologies of Mg2Si film growth for energy conversion. Vacuum, 2022, Vol.196, P.110798-4.
2014. E.N. Chukurov, N.V. Denisov, Yu.V. Luniakov, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.A. Yakovlev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Computer study of two-dimensional surface alloy Si(111)4×4-(Bi,Ag) // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-9
2011. Y.V. Luniakov. First principle simulations of the surface diffusion of Si and Me adatoms on the Si(111)√3×√3-Me surface, Me = Al, Ga, In, Pb. Surf.Sci., 2011, Vol.605, P.1866-1871
2018. Ю.В. Луняков. Новая возможная структура силицида Mg2Si под давлением. ФТТ, 2018, Т. 60, вып. 5, Р. 864-867.
2022. Ю. В. Луняков. Германид Mg2Ge под давлением: результаты эволюционного поиска из первых принципов. ФТТ, 2022, Т. 64, вып.10, С.1440-1446.
2015. Ю.В. Луняков, С.А. Балаган. Модуль упругости кремниевых и германиевых фуллеренов Si60 и Ge60 . ФТТ, 2015, Т.57, вып.6, С.1058-1063.
2021. Ю.В. Луняков. Станнид Mg2Sn под давлением: результаты эволюционного поиска из первых принципов. ФТТ, 2021, Т. 63, вып. 4. С.452-456.
2015. DFT evolutionary search for Mg2Si under pressure
2020. Ю.В. Луняков. Силицид Mg2Si под давлением: результаты эволюционного поиска из первых принципов. ФТТ, 2020, Т. 62, вып.5, С.783-787.
2018. Ю.В. Луняков. Новая возможная структура силицида Mg2Si под давлением. ФТТ, 2018, Т. 60, вып. 5, Р. 864-867.