Год: 2015

Автор: Галкин К. Н., Галкин Н. Г., Горошко Д. Л., Чернев И. М., R. Faigar, T.H. Stuchlikova, J. Stuchlok, Z. Remes

ISSN / ISBN:

Тип публикации: Материалы / тезисы конференций

Библиографическое описание: N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, R. Faigar, T.H. Stuchlikova, J. Stuchlok, Z. Remes. Formation and properties of p-i-n diodes based on hydrogenated amorphous silicon with embedded CrSi2, Mg2Si and Ca2Si nanocrystallites for energy conversion applications // JJAP Conf. Proceed., 3 (2015) 011104(1-8).

Импакт-фактор издания:

Название издания: Japanese Journal of Applied Physics Conference Proceedings

Импакт-фактор издания по РИНЦ:

Страна, город, издательство: The Japan Society of Applied Physics

Выходные данные: V.3

Ссылки: