2018
Физика твердого тела, RSCI
Article
Physics of the Solid State
PLEIADES PUBLISHING
Vol. 60. No. 7. P. 1013-1017.
0.860
0367-3294
T.A. Pisarenko, V.V. Balashev, V.A. Vikulov, A.A. Dimitriev, V.V. Korobtsov. A comparative study of the lateral photovoltaic effect in Fe3O4/SiO2/n-Si and Fe3O4/SiO2/p-Si structures // Physics of the Solid State. 2018. Vol. 60. No. 7. P. 1013-1017.
Представлены результаты сравнительного исследования латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe3O4/SiO2/n-Si и Fe3O4/SiO2/p-Si. В обеих структурах латеральное фотонапряжение максимально вблизи измерительных контактов, но имеет противоположный знак. При смещении светового пятна от измерительных контактов оно линейно меняется в структуре Fe3O4/SiO2/n-Si и экспоненциально затухает в структуре Fe3O4/SiO2/p-Si. Установлено, что инверсия полярности фотонапряжения при смене типа проводимости кремния обусловлена наличием интерфейсных состояний на границе раздела SiO2/Si. Обнаружено, что для обеих структур наблюдается экстремальная толщинная зависимость фотонапряжения с оптимальной толщиной пленки Fe3O4 ∼ 50 nm. Работа частично поддержана Комплексной программой фундаментальных исследований ДВО РАН ”Дальний Восток“ 2018 − 2020 гг. № 18-3-022 (0226-18-0031).
10.21883/FTT.2018.07.46114.037