Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Выборы руководителя ФГБУН ИАПУ ДВО РАН
Об институте
История института
Награды, премии, почетные звания
Академики, члены-корреспонденты РАН
О нас в СМИ
Документы
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Международное сотрудничество
Проведение конференций
Конкурсы
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Список аспирантов (на 10 января 2024 года)
Противодействие коррупции
Алексеев Александр Александрович
Должность:
старший инженер-электроник
Подразделение:
Лаборатория технологии двумерной микроэлектроники (№101)
Кабинет:
328
Телефон:
Внутр. телефон:
2-05
Email:
alekseev@iacp.dvo.ru
Публикации:
2017
2016
2015
2014
2012
Доклады
Материалы / тезисы конференций
Статьи в журналах
2015. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.A. Alekseev, C.R. Hsing, C.M. Wei, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Electronic band structure of Tl/Sn atomic sandwich on Si(111). Physical Review B, 2015, Vol. 91, P. 035421-7
2012. I.A. Kuyanov, A.A. Alekseev, and A.V. Zotov. Formation and properties of thin films of Iron silicides on Si(111) surface: Ab Initio simulation. Tech.Phys.Lett., 2012, Vol. 38, No. 3, P.215-217
2015. А.А. Алексеев, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, В.Г. Котляр, А.В. Зотов, А.А. Саранин. СТМ-наблюдение сверхтонких эпитаксиальных пленок CoSi2(111), выращенных при высокой температуре. ЖТФ, 2015, Т. 85, вып. 10, С. 94-100.
2014. D.V. Gruznev, A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.A. Alekseev, S.V. Eremeev, J.P. Chou, C.M. Wei, Y.L. Wang, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Structure and electronic properties of one-atomic In layers on Si(111) // Abstracts of 1st Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces (APSSS-1), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. J2.
2017. V.G. Kotlyar, A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. The (2x2) reconstructions on the surface of cobalt silicides: Atomic configuration at the annealed Co/Si(111) interface. Surface Science, 2017, Vol. 662, P. 6-11.
2014. D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.A. Alekseev, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Structure of the Co/Si(111)√13x√13 surface revisited. Surface Science, 2014, Vol.625, P.57-63.
2014. A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Structure of the Co/Si(111) √13x√13 surface revisited // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-2.
2016. V.G. Kotlyar, A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Scanning tunneling microscopy study of the early stages of epitaxial growth of CoSi2 and CoSi films on Si(111) substrate: Surface and interface analysis. Thin Solid Films, 2016, Vol. 619, P. 153-159.
2014. D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.A. Alekseev, V.G.Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin. The initial stages of the Co uniform nanofilms formation on Si(111) // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-24
2016. A.N. Mihalyuk, A.A. Alekseev, C.R. Hsing, C.M. Wei, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Low-temperature one-atom-layer V7xV7-In phase on Si(111). Surface Science, 2016, Vol.649, P. 14-19.
2012. E.N. Chukurov, A.A. Alekseev, V.G. Kotlyar, D.A. Olyanich, A.V. Zotov, A.A. Saranin. First-principles study of Si(111) root31xroot31-In reconstruction. Surface Science, 2012, Vol. 606, P.1914-1917
2015. Атомная и электронная структура атомного сэндвича Tl/Sn на поверхности Si(111) // Труды XIX-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2015, Т.1, С. 287-291.
2016. N.V. Denisov, A.A. Alekseev, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Bismuth–indium two-dimensional compounds on Si(111) surface. Surface Science, 2016, Vol.651, P.105-111
2017. N.V. Denisov, A.A. Alekseev, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Bismuth–Indium–Sodium two-dimensional compounds on Si(111) surface. Surface Science, 2017, Vol. 666, P. 64-69