Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
История института
О нас в СМИ
Документы
Противодействие коррупции
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Конкурсы
Проведение конференций
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Список аспирантов (на 1 сентября 2022 года)
Маслов Андрей Михайлович
Степень:
кандидат физико-математических наук
Должность:
старший научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория оптики и электрофизики (№105)
Кабинет:
329
Телефон:
2-32-06-82
Внутр. телефон:
2-68
Email:
maslov@iacp.dvo.ru
Публикации:
2019
2018
2015
2014
2013
Статьи в журналах
Тезисы
2019. Galkin N. G. et al. Conductive CaSi2 transparent in the near infra-red range //Journal of Alloys and Compounds. – 2019. – Т. 770. – С. 710-720.
2014. Vikulov V.A., Dimitriev A.A., Balashev V.V., Pisarenko T.A., Maslov AM., Korobtsov V.V. Electrical transport features in the Fe3O4/SiO2/Si hybrid structures // Solid State Phenomena, 2014, Vol. 213, P.56-59.
2013. Vikulov V.A., Dimitriev A.A., Balashev V.V., Pisarenko T.A., Maslov AM., Korobtsov V.V. Electrical transport features in the Fe3O4/SiO2/Si hybrid structures // The Second Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2013), Vladivostok, 20-27 August, 2013. С.165-166.
2018. Gouralnik A. S. et al. Formation of Mg2Si at high temperatures by fast deposition of Mg on Si (111) with wedge-shaped temperature distribution //Applied Surface Science. – 2018. – Т. 439. – С. 282-284.
2015. Galkin N. G. et al. Semiconducting Mg2Sn and Mg2Ge nanolayers on Si (111) substrates: formation, structure and properties //PHYSICS, CHEMISTRY AND APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES: PROCEEDINGS OF INTERNATIONAL CONFERENCE NANOMEETING–2015. – 2015. – С. 128-131.