Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Выборы руководителя ФГБУН ИАПУ ДВО РАН
Об институте
История института
Награды, премии, почетные звания
Академики, члены-корреспонденты РАН
О нас в СМИ
Документы
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Международное сотрудничество
Проведение конференций
Конкурсы
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Прием в целевую аспирантуру
Список аспирантов (на 1 октября 2024 года)
Противодействие коррупции
Котляр Василий Григорьевич
Степень:
доктор физико-математических наук
Должность:
ведущий научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория технологии полупроводников и диэлектриков (№104)
Кабинет:
315
Внутр. телефон:
1-96
Email:
vasily@iacp.dvo.ru
Публикации:
2023
2022
2021
2020
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
Доклады
Материалы / тезисы конференций
Статьи в журналах
2012. V.G. Kotlyar, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Self-assembly of C60 fullerenes on quasi-one-dimensional Si(111)4x1-In surface. Surface Science, 2012, Vol. 606, P.1821-1824
2012. E.N. Chukurov, A.A. Alekseev, V.G. Kotlyar, D.A. Olyanich, A.V. Zotov, A.A. Saranin. First-principles study of Si(111) root31xroot31-In reconstruction. Surface Science, 2012, Vol. 606, P.1914-1917
2013. Dmitry A Olyanich, Vasily G Kotlyar, Tatiana V Utas, Andrey V Zotov and Alexander A Saranin. The manipulation of C60 in molecular arrays with an STM tip in regimes below the decomposition threshold. Nanotechnology, 2013, Vol.24, P.055302-8
2014. A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Structure of the Co/Si(111) √13x√13 surface revisited // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-2.
2022. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Gold interlayer promotes superconductivity in single- and double-atomic Pb layers on Si(100). Journal of Physical Chemistry Letters, 2022, Vol.13, P.10479-10485.
2011. M.Y. Lai, J.P. Chou, O.A. Utas, N.V. Denisov, V.G. Kotlyar, D. Gruznev, A. Matetsky, A.V. Zotov, A.A. Saranin, C.M. Wei, Y.L. Wang. Broken even/odd symmetry in self-selection of distances between nanoclusters due to presence/absence of topological solitons. Phys.Rev.Lett., 2011, V.106, P.166101(4)
2021. A.N. Mihalyuk, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Solving a long-standing problem regarding atomic structure of Si(100)2x3-Ag. The Journal of Physical Chemistry Letters, 2021, Vol.12, P.9584-9587.
2018. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Two-dimensional metallic (Tl, Au)/Si(100)c(2×2): A Rashba-type system with C2v symmetry. Phys.Rev. B, 2018, Vol.98, P. 125428-6.
2014. D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.A. Alekseev, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Structure of the Co/Si(111)√13x√13 surface revisited. Surface Science, 2014, Vol.625, P.57-63.
2020. V.G. Kotlyar, O.A. Utas, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surface reconstructions in Pb/Si(100) system: Composition and atomicarrangement. Surface Science, 2020, Vol.695, P.121574-7.
2016. V.G. Kotlyar, A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Scanning tunneling microscopy study of the early stages of epitaxial growth of CoSi2 and CoSi films on Si(111) substrate: Surface and interface analysis. Thin Solid Films, 2016, Vol. 619, P. 153-159.
2014. D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin, L. N. Romashev, N.I. Solin, V.V. Ustinov. C60 layer growth on the Co/Si(111)√7x√7 surface. Applied Surface Science, 2014, Vol.292, P.954-957.
2014. D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.A. Alekseev, V.G.Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin. The initial stages of the Co uniform nanofilms formation on Si(111) // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-24
2014. А.В. Зотов, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, В.Г. Котляр, А.А. Саранин. Динамическое поведение вакансий в молекулярном массиве C60 // Труды XVIII-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта 2014 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2014, Т.1, С. 249-250.
2016. Н.И. Солин, Л.Н. Ромашев, С.В. Наумов, А.А. Саранин, А.В. Зотов, Д.А. Олянич, В.Г. Котляр, О.А. Утас. Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников. ЖТФ, 2016, Т. 86, вып. 2, С. 78-84.
2015. А.А. Алексеев, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, В.Г. Котляр, А.В. Зотов, А.А. Саранин. СТМ-наблюдение сверхтонких эпитаксиальных пленок CoSi2(111), выращенных при высокой температуре. ЖТФ, 2015, Т. 85, вып. 10, С. 94-100.
2017. V.G. Kotlyar, A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. The (2x2) reconstructions on the surface of cobalt silicides: Atomic configuration at the annealed Co/Si(111) interface. Surface Science, 2017, Vol. 662, P. 6-11.
2014. A.V. Zotov, D.A. Olyanich, T.V. Utas, O.A. Utas, V.G. Kotlyar, A.A. Saranin. Mobility of artificial vacancies within C60 monomolecular layer // Proceedings of 22nd International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, June 23-27, 2014, Saint Petersburg, Russia. Saint Peterburg: St Petersburg Academic University, 2014, P.124-125.
2013. В.Г. Котляр, Б.К. Чурусов, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, Д.В. Грузнев, А. В. Зотов, А.А. Саранин. Модификация держателя образца для сканирующего туннельного микроскопа VT STM (OMICRON). ПТЭ, 2013, № 6, С. 105-109.
2023. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Alloying with Ga promotes superconductivity in single-atomic Pb layer on Si(111). Journal of Alloys and Compounds, 2023, Vol. 969, P. 172453-5.
2020. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Atomic, electronic and transport properties of In-Au 2D compound on Si(100). J. Phys.: Condens. Matter, 2020, Vol.32, P. 135003-7.