Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
Новости
Структура
Научная деятельность
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Аспирантура
Противодействие коррупции
ЦИР
Котляр Василий Григорьевич
Степень:
доктор физико-математических наук
Должность:
ведущий научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория технологии полупроводников и диэлектриков (№104)
Кабинет:
315
Внутр. телефон:
1-96
Email:
vasily@iacp.dvo.ru
Публикации:
2023
2022
2021
2020
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
Материалы / тезисы конференций
Статьи в журналах
2014. D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.A. Alekseev, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Structure of the Co/Si(111)√13x√13 surface revisited. Surface Science, 2014, Vol.625, P.57-63.
2014. A.V. Zotov, D.A. Olyanich, T.V. Utas, O.A. Utas, V.G. Kotlyar, A.A. Saranin. Mobility of artificial vacancies within C60 monomolecular layer // Proceedings of 22nd International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, June 23-27, 2014, Saint Petersburg, Russia. Saint Peterburg: St Petersburg Academic University, 2014, P.124-125.
2017. V.G. Kotlyar, A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. The (2x2) reconstructions on the surface of cobalt silicides: Atomic configuration at the annealed Co/Si(111) interface. Surface Science, 2017, Vol. 662, P. 6-11.
2013. Dmitry A Olyanich, Vasily G Kotlyar, Tatiana V Utas, Andrey V Zotov and Alexander A Saranin. The manipulation of C60 in molecular arrays with an STM tip in regimes below the decomposition threshold. Nanotechnology, 2013, Vol.24, P.055302-8
2020. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Atomic, electronic and transport properties of In-Au 2D compound on Si(100). J. Phys.: Condens. Matter, 2020, Vol.32, P. 135003-7.
2013. В.Г. Котляр, Б.К. Чурусов, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, Д.В. Грузнев, А. В. Зотов, А.А. Саранин. Модификация держателя образца для сканирующего туннельного микроскопа VT STM (OMICRON). ПТЭ, 2013, № 6, С. 105-109.
2012. V.G. Kotlyar, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Self-assembly of C60 fullerenes on quasi-one-dimensional Si(111)4x1-In surface. Surface Science, 2012, Vol. 606, P.1821-1824
2016. V.G. Kotlyar, A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Scanning tunneling microscopy study of the early stages of epitaxial growth of CoSi2 and CoSi films on Si(111) substrate: Surface and interface analysis. Thin Solid Films, 2016, Vol. 619, P. 153-159.
2014. D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin, L. N. Romashev, N.I. Solin, V.V. Ustinov. C60 layer growth on the Co/Si(111)√7x√7 surface. Applied Surface Science, 2014, Vol.292, P.954-957.
2018. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Two-dimensional metallic (Tl, Au)/Si(100)c(2×2): A Rashba-type system with C2v symmetry. Phys.Rev. B, 2018, Vol.98, P. 125428-6.
2022. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Gold interlayer promotes superconductivity in single- and double-atomic Pb layers on Si(100). Journal of Physical Chemistry Letters, 2022, Vol.13, P.10479-10485.
2015. А.А. Алексеев, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, В.Г. Котляр, А.В. Зотов, А.А. Саранин. СТМ-наблюдение сверхтонких эпитаксиальных пленок CoSi2(111), выращенных при высокой температуре. ЖТФ, 2015, Т. 85, вып. 10, С. 94-100.
2021. A.N. Mihalyuk, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Solving a long-standing problem regarding atomic structure of Si(100)2x3-Ag. The Journal of Physical Chemistry Letters, 2021, Vol.12, P.9584-9587.
2014. D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.A. Alekseev, V.G.Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin. The initial stages of the Co uniform nanofilms formation on Si(111) // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-24
2020. V.G. Kotlyar, O.A. Utas, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surface reconstructions in Pb/Si(100) system: Composition and atomicarrangement. Surface Science, 2020, Vol.695, P.121574-7.
2014. A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Structure of the Co/Si(111) √13x√13 surface revisited // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-2.
2012. E.N. Chukurov, A.A. Alekseev, V.G. Kotlyar, D.A. Olyanich, A.V. Zotov, A.A. Saranin. First-principles study of Si(111) root31xroot31-In reconstruction. Surface Science, 2012, Vol. 606, P.1914-1917
2016. Н.И. Солин, Л.Н. Ромашев, С.В. Наумов, А.А. Саранин, А.В. Зотов, Д.А. Олянич, В.Г. Котляр, О.А. Утас. Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников. ЖТФ, 2016, Т. 86, вып. 2, С. 78-84.
2023. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Alloying with Ga promotes superconductivity in single-atomic Pb layer on Si(111). Journal of Alloys and Compounds, 2023, Vol. 969, P. 172453-5.
2011. M.Y. Lai, J.P. Chou, O.A. Utas, N.V. Denisov, V.G. Kotlyar, D. Gruznev, A. Matetsky, A.V. Zotov, A.A. Saranin, C.M. Wei, Y.L. Wang. Broken even/odd symmetry in self-selection of distances between nanoclusters due to presence/absence of topological solitons. Phys.Rev.Lett., 2011, V.106, P.166101(4)
2014. А.В. Зотов, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, В.Г. Котляр, А.А. Саранин. Динамическое поведение вакансий в молекулярном массиве C60 // Труды XVIII-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта 2014 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2014, Т.1, С. 249-250.