Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
История института
Награды, премии, почетные звания
Академики, члены-корреспонденты РАН
О нас в СМИ
Документы
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Международное сотрудничество
Проведение конференций
Конкурсы
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Прием в целевую аспирантуру
Список аспирантов (на 1 октября 2024 года)
Противодействие коррупции
Субботин Евгений Юрьевич
Степень:
кандидат физико-математических наук
Должность:
старший научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория функциональных материалов и систем фотоники (№24)
Кабинет:
332
Внутр. телефон:
2-68
Email:
subbotineu@iacp.dvo.ru
Публикации:
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2015
Материалы / тезисы конференций
Статьи в журналах
2022. A.V. Shevlyagin et al. Semimetal hR6-CaSi2 thin film: a transparent contact for Si optoelectronics // Journal of Alloys and Compounds. - 2022. - T.910. - P. 164893.
2015. Galkin N. G. et al. Semiconducting Mg2Sn and Mg2Ge nanolayers on Si (111) substrates: formation, structure and properties //PHYSICS, CHEMISTRY AND APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES: PROCEEDINGS OF INTERNATIONAL CONFERENCE NANOMEETING–2015. – 2015. – С. 128-131.
2017. Goroshko D. L. et al. Photoluminescence spectroscopy investigation of epitaxial Si/GaSb nanocrystals/Si heterostructure //AIP Conference Proceedings. – AIP Publishing LLC, 2017. – Т. 1874. – №. 1. – С. 030015.
2020. Goroshko D. et al. Dissolution suppression of self-assembled GaSb quantum dots on silicon by proper surface preparation //Semiconductor Science and Technology. – 2020. – Т. 35. – №. 10. – С. 10LT01.
2021. Механизмы проводимости и термоэлектрические свойства полуметаллических пленок CASI и CASI2 на подложках Si(100) и Si(111) / Н. Г. Галкин, К. Н. Галкин, А. В. Тупкало [и др.] // Химическая физика и мезоскопия. – 2021. – Т. 23. – № 2. – С. 165-175.
2018. Goroshko D. et al. Thermoelectric properties of nanostructured material based on Si and GaSb //Defect and Diffusion Forum. – Trans Tech Publications Ltd, 2018. – Т. 386. – С. 102-109.
2017. Субботин Е. Ю. и др. НАНОКРИСТАЛЛЫ GASB ВЫРАЩЕННЫЕ МЕТОДОМ ТВЁРДОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ И ВСТРОЕННЫЕ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ //Современные проблемы физики и технологий. – 2017. – С. 166-167.
2020. Goroshko D. L. et al. Formation and thermoelectric properties of the n-and p-type silicon nanostructures with embedded GaSb nanocrystals //Japanese Journal of Applied Physics. – 2020. – Т. 59. – №. SF. – С. SFFB04.
2018. Goroshko D. et al. Photoconductivity and conductivity processes in Si-Sn films grown on Si (100) substrate at room temperature //Defect and Diffusion Forum. – Trans Tech Publications Ltd, 2018. – Т. 386. – С. 95-101.
2018. Chusovitin E. et al. Formation of a thin continuous GaSb film on Si (001) by solid phase epitaxy //nanomaterials. – 2018. – Т. 8. – №. 12. – С. 987.
2019. Galkin N. G. et al. Conductive CaSi2 transparent in the near infra-red range //Journal of Alloys and Compounds. – 2019. – Т. 770. – С. 710-720.
2022. N.G. Galkin, K.N. Galkin, A.V. Tupkalo, E.Yu. Subbotin, I.M. Chernev, A.V. Shevlyagin and V.V. Khovailo / Conduction Mechanisms and Thermoelectric Properties of Semimetallic CaSi and CaSi2 Films on Si(100) and Si(111) Substrates // Physics of the Solid State, 2022, Vol. 64, No. 12, pp. 616–623
2021. Galkin N. G. et al. Multilayer Heterostructures with Embedded CrSi2 and β-FeSi2 Nanocrystals on Si (111) Substrate: From the Formation to Photoelectric Properties //Solid State Phenomena. – Trans Tech Publications Ltd, 2020. – Т. 312. – С. 45-53.