Особенности переключения канала проводимости в гибридных структурах Fe3O4/SiO2/n-Si


2013

Балашев В. В., Викулов В. А., Димитриев А. А., Коробцов В. В., Писаренко Т. А.

Тезисы

Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП)

Россия, Санкт-Петербург.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе,

Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП),2013.

С. 214.

0

0

978-5-93634-033-3

Викулов В.А., Балашев В.В., Димитриев А.А., Писаренко Т.А., Коробцов В.В. Особенности переключения канала проводимости в гибридных структурах Fe3O4/SiO2/n-Si // XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16-20 сентября 2013, C.214.