Год: 2015

Издание: Electronic Materials Letters, Q3

Тип публикации: Статьи в журналах

Название издания: Electronic Materials Letters

Страна, город, издательство: Springer

Выходные данные: V.11, N.3

Импакт-фактор издания: 1.98

ISSN / ISBN: ISSN: 1738-8090 (print version), 2093-6788 (electronic version)

Библиографическое описание: D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, I.M. Chernev, L. Dozsa, B. Pecz, N.G. Galkin. Formation and thermoelectric properties of stressed chromium disilicide nanocrystallites buried in the Si/CrSi2/Si(001) heterostructure // Electronic Materials Letters, V. 11, N. 3, (2015), pp. 424-428.

Ссылки: