Центр коллективного пользования уникальным аналитическим оборудованием "Дальневосточный центр диагностики поверхности твердых тел" (ДВ ЦКП ДПТТ)


 

Полное наименование центра - Дальневосточный центр диагностики поверхности твердых тел

Полное наименование организации в которой функционирует центр - Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук,

Почтовый адрес - РФ, 690041, г. Владивосток, улица Радио, дом 5

 

Юридический адрес - РФ, 690041, г. Владивосток, улица Радио, дом 5

 

Ведомственная подчиненность - Дальневосточное отделение Российской академии наук

 

Наименование органа, осуществляющего функции и полномочия учредителя - Федеральное агентство научных организаций

Руководитель ЦКП - член-корреспондент РАН А.А. Саранин

 

Развернутая информация о центре диагностики (Текущие проекты, актуальное состояние центра)

 

 Локальные нормативные акты, регулирующих деятельность центра

Распоряжение № 52 от 29.07.2016 "Об утверждении Положения, Регламента, Порядка расчета, вида и стоимости услуг, оказываемых Центром коллективного пользования уникальным аналитическим оборудованием «Дальневосточный центр диагностики поверхности твердых тел» с Приложениями:

Приложение 1. Положение о Центре коллективного пользования уникальным аналитическим оборудованием ДВО РАН «Дальневосточный центр диагностики поверхности твердых тел» 

Приложение 2. Регламент Центра коллективного пользования уникальным аналитическим оборудованием ДВО РАН «Дальневосточный центр диагностики поверхности твердых тел» по оказанию услуг внешним пользователям с использованием современного и дорогостоящего оборудования для научно-исследовательских, технологических и учебных целей

Приложение 3. Перечень оборудования Центра коллективного пользования уникальным аналитическим оборудованием ДВО РАН «Дальневосточный центр диагностики поверхности твердых тел» (ДВ ЦКП ДПТТ)

Приложение 4.Порядок расчёта, виды и стоимость услуг, оказываемых ДВ ЦКП ДПТТ

 

Основные направления научных исследований

Экспериментальные исследования состава, атомной и электронной структуры поверхности твердых тел, тонких пленок и структур пониженной размерности на полупроводниковых и диэлектрических подложках, проводимости, подвижности и концентрации носителей в данных системах, их оптических свойств, структуры и морфологии, как в условиях сверхвысокого вакуума, так и на воздухе. Изучение процессов формирования, структуры и свойств субмонослойных пленок (поверхностных фаз) адсорбатов на поверхности полупроводниковых кристаллов.

 

Аналитическое оборудование:

Центр имеет более десяти сверхвысоковакуумных установок для исследования структуры и свойств поверхности твердого тела.

 

Основные методы исследований:

  • Электронная оже-спектроскопия
  • Дифракция медленных электронов
  • Дифракция быстрых электронов
  • Сканирующая туннельная микроскопия
  • Атомная силовая микроскопия.

 

Основные результаты

  1. Обнаружены упорядоченные массивы магических кластеров Al на Si(111)7x7 и In Si(100)2x1.
  2. Обнаружено явление легирования магических кластеров индия на поверхности Si(100).
  3. При взаимодействии бериллия с поверхностью Si(111) обнаружен массив наноэлементов в виде нанотрубоок кремния, легированных атомами бериллия.
  4. Обнаружены низкотемпературные фазовые переходы в системах Tl/Si(100) и Tl/Ge(100).
  5. Исследована молекулярно-лучевая эпитаксия кремния поверх островков дисилицида железа, сформированных на поверхностях Si(111)7x7 и Si(100)2x1 при 600-800 0С. Установлена оптимальная температура роста (700 оС) на поверхности Si(100) и получены данные о структуре кремния и встроенных нанокристаллитов (НК) -FeSi2 для обеих поверхностей.
  6. Исследована фононная структура выращенных мультислойных образцов на основе анализа двухфононных и трехфононных резонансов в кремнии и Mg2Si
  7. Исследованы морфология, оптические свойства, кристаллическая и электронная структура монокристаллического кремния после обработки плазмой в зависимости от начального напряжения магнитоплазменного компрессора (МПК). Получены первые данные о параметрах электронной структуры и изменениях параметров кристаллической структуры в кремнии после его обработки плазменным потоком.