Меню
E-mail
RU
EN
Войти
Главная
Об институте
История института
Награды, премии, почетные звания
Академики, члены-корреспонденты РАН
О нас в СМИ
Документы
Реквизиты
Новости
Структура
Дирекция
Аппарат управления
Научные подразделения
Центры коллективного пользования
Научно-вспомогательные и производственные подразделения
Общественные организации
Контактная книга
Научная деятельность
Основные направления научных исследований
Научные проекты
Основные научные результаты
Интеллектуальная собственность
Международное сотрудничество
Проведение конференций
Конкурсы
Постоянно действующие семинары
Объявления о проводимых научных мероприятиях
Список публикаций
Ученый совет
Диссертационные советы
Объявления о защите
Диссертационный совет 24.1.027.01
Диссертационный совет 24.1.027.02
Объединенный диссертационный совет 99.0.073.03
Диссертации, подготовленные к представлению
Аспирантура
Специальности подготовки научных кадров в аспирантуре ИАПУ ДВО РАН
Междисциплинарная кафедра подготовки кадров высшей квалификации
Прием в аспирантуру
Прием в целевую аспирантуру
Список аспирантов (на 1 октября 2024 года)
Противодействие коррупции
Нормативные правовые и иные акты в сфере противодействия коррупции
Методические материалы
Формы документов, связанных с противодействием коррупции, для заполнения
Статистическо-финансовая отчетность ИАПУ ДВО РАН
Комиссия по соблюдению требований к служебному поведению и урегулированию конфликта интересов
Обратная связь для сообщений о фактах коррупции
Тупчая Александра Юрьевна
Степень:
кандидат физико-математических наук
Должность:
научный сотрудник
Подразделение:
Лаборатория технологии двумерной микроэлектроники (№101)
Кабинет:
304
Внутр. телефон:
2-18
Email:
tupchaya@iacp.dvo.ru
Публикации:
2024
2023
2022
2021
2020
2018
2017
2016
2015
2014
2013
Материалы / тезисы конференций
Статьи в журналах
2023. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.S. Zhdanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Few monolayer Ga film on Si(111): Illusive gallenene formation and localization instead of superconductivity. Mol. Syst. Des. Eng., 2023, Vol.8, P.604-610.
2015. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.A. Alekseev, C.R. Hsing, C.M. Wei, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Electronic band structure of Tl/Sn atomic sandwich on Si(111). Physical Review B, 2015, Vol. 91, P. 035421-7
2018. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.A. Yakovlev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. (Tl, Sb) and (Tl, Bi) binary surface reconstructions on Ge(111) substrate. Surface Science, 2018, Vol. 669, P.183-188.
2023. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Alloying with Ga promotes superconductivity in single-atomic Pb layer on Si(111). Journal of Alloys and Compounds, 2023, Vol. 969, P. 172453-5.
2014. L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.A. Yakovlev, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, M.V. Ryzhkova, D.A. Tsukanov, E.A. Borisenko, E.N. Chukurov, N.V. Denisov, O. Vilkov, D.V. Vyalikh, A.V. Zotov and A.A. Saranin. Effect of Na adsorption on structural and electronic properties of Si(111)√3x√3-Au surface. J.Phys.: Condens.Matter, 2014, Vol.26, No.5, P. 055009 (7 pp).
2022. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Single- and double-atomic In layers grown on top of a single-atomic-layer NiSi2 on Si(111). Physical Review B, 2022, V.106, P.035412-8.
2016. V.V. Mararov, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Comparative STM analysis of C60 and C70 fullerene adsorption sites on pristine and Al-modified Si(111)7x7 surfaces. J.Vac.Sci.Technol. A, 2016, Vol.34, No.6, P.061402-5.
2018. A.N. Mihalyuk, C.R. Hsing, C.M. Wei, S.V. Eremeev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. (Tl/Au)/Si(111) √7x√7 2D compound: An ordered array of identical Au clusters embedded in Tl matrix. J.Phys.: Condens.Matter, 2018, Vol. 30, P.025002-8.
2016. А.В. Матецкий, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, Д.В. Грузнев, S. Ichinokura, R. Hobara, A. Takayama, S. Hasegawa, А.В. Зотов, А.А. Саранин. Сверхпроводимость в одном атомном слое // Материалы XX-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 14-18 марта 2016 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2016, Т.1, С. 303-305.
2014. Д.В. Грузнев, Л.В. Бондаренко, А.В. Матецкий, А.А. Яковлев, А.Ю Тупчая, С.В. Еремеев, Е.В. Чулков, J.-P. Chou, C.M. Wei, M-Y. Lai, Y.-L. Wang, А.В. Зотов, А.А. Саранин. Управление структурой спин-расщепленных электронных состояний в двумерных сплавах на поверхности полупроводников // Труды XVIII-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта 2014 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2014, Т.1, С. 269-270.
2016. A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, C.R. Hsing, A.V. Zotov, C.M. Wei, A.A. Saranin, S. Hasegawa. Atomic structure of thallium double atomic layer on Si(111)6√3х6√3 // Abstracts of 2-nd Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces (APSSS-2), November 13-16, 2016, Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan. Taipei: IAMS, Academia Sinica, 2016, P. 17.
2017. A.A. Saranin, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, S. Ichinokura, R. Hobara, A. Takayama, S. Hasegawa, and A. V. Zotov. Metallic 2D alloys and compounds on Si(111) and Ge(111) surfaces // Abstracts of International Symposium (FOR1282) “Controlling the Electronic Structure of Semiconductor Nanoparticles by Doping and Hybrid Formation”, February 22-24, 2017, Berlin Germany. Berlin: Technische Universität Berlin, 2017, P. 19.
2018. D.V. Gruznev, S.V. Eremeev, L.V. Bondarenko, A.Yu. Tupchaya, A.A. Yakovlev, A.N. Mihalyuk, Jyh-Pin Chou, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Two-dimensional In-Sb compound on silicon as a quantum spin Hall insulator. Nano Letters, 2018, V. 18, Iss.7, P.4338-4345.
2014. A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Bismuth film Fermi level engineering // 7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7), November 2-6 2014, Matsue, Japan. Tokyo: The Surface Science Society of Japan, 2014, P. [6PN-40]
2016. A.A. Saranin, A.V. Matetskiy, I.A. Kibirev, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, C.M. Wei, C.R. Hsing, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov. Atomic structure and electronic properties of the Si(111)√3×√3-(Tl, A) (A = Group IV, V, VI) compounds // Abstracts of 2-nd Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces (APSSS-2), November 13-16, 2016, Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan. Taipei: IAMS, Academia Sinica, 2016, P. 7.
2015. A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, A. V. Matetskiy, E.N. Chukurov, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, S.V. Eremeev, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Al-Au 2D compound layer on Si(111) surface // The 15th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-15), November 15-20, 2015, Hiroshima, Japan. Hiroshima: Hiroshima University, 2015, P. 100
2016. A.A. Saranin, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, S.V. Eremeev, C.R. Hsing, C.M. Wei, S. Ichinokura, R. Hobara, A. Takayama, and S. Hasegawa. Spin-split metallic surface states of 2D alloys and compounds on silicon // Abstracts of VI Euro-Asian Symposium «Trends in Magnetism» (EASTMAG-2016), August 15–19, 2016, Krasnoyarsk, Russia. Krasnoyarsk: Kirensky Institute of Physics, SB RAS, 2016, P. 11.
2016. A.A. Saranin, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, S. Ichinokura, R. Hobara, A. Takayama, S. Hasegawa, and A. V. Zotov. STM investigation of 2D alloys and compounds on Si(111) and Ge(111) surfaces // Abstracts of The 24th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM24), December 14-16, 2016, Honolulu, Hawaii, USA. Tokyo: The Japan Society of Applied Physics, 2016, P. 23.
2014. D.V. Gruznev, A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.A. Alekseev, S.V. Eremeev, J.P. Chou, C.M. Wei, Y.L. Wang, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Structure and electronic properties of one-atomic In layers on Si(111) // Abstracts of 1st Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces (APSSS-1), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. J2.
2016. А. В. Зотов, Д. В. Грузнев, А.Н. Михалюк, А. В. Матецкий, Л.В. Бондаренко , А.Ю. Тупчая, С.В. Еремеев, J.P. Chou, C.R. Hsing, C.M. Wei, А.А. Саранин. Мозаичная структура двумерного соединения Tl-Bi на Si(111) // Материалы XX-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 14-18 марта 2016 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2016, Т.1, С. 295-296.
2015. A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Two-dimensional AuTl structures on Si(111) surface // Proceedings of Third Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2015), Vladivostok, Russia, August 19–26, 2015. Vladivostok: Dalnauka, 2015, P.92-93
2016. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, C.R. Hsing, C.M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Long-range-ordered 2D Tl-Pb compounds on Si(111) and Ge(111) // Abstracts of 2-nd Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces (APSSS-2), November 13-16, 2016, Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan. Taipei: IAMS, Academia Sinica, 2016, P. 10.
2015. A.A. Saranin, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Yu. Tupchaya, A.V. Zotov, S.V. Eremeev, E.V. Chulkov, Jyu-Pin Chou, Cheng-Rong Hsing, Ching-Ming Wei. Tailoring of spin-split metallic surface-state bands on silicon // Proceedings of the International Conference "Spin physics, spin chemistry and spin technology" (SPCT-2015), June 1-5, 2015, St. Petersburg, Russia. St. Peterburg: Ioffe Physical-Technical Institute, 2015, P.27.
2015. A.A. Saranin, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Yu. Tupchaya, A.V. Zotov, S.V. Eremeev, J.-P. Chou, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, S. Ichinokura, R. Hobara, A. Takayama, S. Hasegawa. Spin-split metallic surface states of 2D alloys and compounds on silicon // The 15th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-15), November 15-20, 2015, Hiroshima, Japan. Hiroshima: Hiroshima University, 2015, P. 38.
2020. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Atomic, electronic and transport properties of In-Au 2D compound on Si(100). J. Phys.: Condens. Matter, 2020, Vol.32, P. 135003-7.
2018. A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, J.P. Chou, C.R. Hsing, C.M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Double-atomic layer of Tl on Si(111): Atomic arrangement and electronic properties. Surface Science, 2018, Vol. 668, P. 17-22.
2017. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, S.V. Eremeev, A.N. Mihalyuk, J.P. Chou, C.M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. 2D Tl-Pb compounds on Ge(111) surface: atomic arrangement and electronic band structure. J.Phys.: Condens.Matter, 2017, Vol. 29, No.3, P.035001-9.
2014. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Matetskiy, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Metallic spin-split states and structural transformations in 2D TlBi system on silicon // 7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7), November 2-6 2014, Matsue, Japan. Tokyo: The Surface Science Society of Japan, 2014, P. [5aA1-2]
2016. A.A. Saranin, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, S.V. Eremeev, C.R. Hsing, C.M. Wei, S. Ichinokura, R. Hobara, A. Takayama, and S. Hasegawa. Structure and superconductivity of Tl-based atomic layers on Si(111) // 20th International Vacuum Congress (IVC-20), August 21-26, Busan, Korea. Seoul: The Korean Vacuum Society, 2016, P.604.
2018. H. Toyama, H. Huang, T. Nakamura, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A. Takayama, A.V. Zotov, A.A. Saranin, S. Hasegawa. Superconductivity of Pb ultrathin film on Ge(111) surface. Defect and Diffusion Forum, 2018, Vol. 386, P. 80-85.
2014. A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Adsorbate-induced transformations in electronic structure of Bi(0001) surface // Abstracts of 1st Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces (APSSS-1), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. E5.
2014. A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.A. Yakovlev, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Fermi level tuning of bismuth films // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-10
2016. A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. √7×√7-AuTl compound surface structure on Si(111) // Abstracts of 2-nd Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces (APSSS-2), November 13-16, 2016, Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan. Taipei: IAMS, Academia Sinica, 2016, P. 44.
2015. А.В. Зотов, Д.В. Грузнев, А.В. Матецкий, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, А.А. Саранин, J.P. Chou, C.M. Wei, Y.L. Wang. Новые данные о структуре и свойствах моноатомных слоев индия на кремнии // Труды XIX-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2015, Т.1, С. 264-265
2022. A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, A.A. Yakovlev, Y.E. Vekovshinin, A.N. Mihalyuk, D.V. Gruznev, N.S. Denisov, A.V. Matetskiy, A.Yu. Aladyshkin, A.V. Zotov, A.A. Saranin. 2D system incorporating perforated Mg sheet sandwiched between Pb layer and Si(111). Applied Surface Science, 2022, Vol.589, P.152951-6
2014. A.A. Saranin, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.A. Yakovlev, A.Y. Tupchaya, S.V. Eremeev, E.V. Chulkov, Jyu-Pin Chou, C.-M. Wei, M.-Y. Lai, Y.-L. Wang, A.V. Zotov. A strategy to create spin-split metallic bands on silicon using a dense alloy layer // 7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7), November 2-6 2014, Matsue, Japan. Tokyo: The Surface Science Society of Japan, 2014, P. [5aA1-3]
2014. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.A. Yakovlev, A.Y. Tupchaya, S.V. Eremeev, E.V. Chulkov, Jyu-Pin Chou, Ching-Ming Wei, Ming-Yu Lai, Yuh-Lin Wang, A.V. Zotov & A.A. Saranin. A strategy to create spin-split metallic bands on silicon using a dense alloy layer. Scientific Reports, 2014, Vol.4, Article number: 4742 | DOI: 10.1038/srep04742, 5 P.
2015. L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Electronic and atomic structure of 2D In-Tl layer on Si(111) // Proceedings of Third Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2015), Vladivostok, Russia, August 19–26, 2015. Vladivostok: Dalnauka, 2015, P.72-73
2022. A.V. Slyshkin, A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. High quality Mg(0001) films grown on Si(111) √3x√3-B surface at room temperature. Thin Solid Films, 2022, Vol.754, P.139317-5.
2016. S. Ichinokura, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin, S. Hasegawa. Superconducting properties of Tl double atomic layer on Si(111) // Abstracts of 2-nd Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces (APSSS-2), November 13-16, 2016, Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan. Taipei: IAMS, Academia Sinica, 2016, P. 11.
2018. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A. N. Mihalyuk, S. V. Eremeev, M.V. Ryzhkova, D. A. Tsukanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Electronic properties of the two-dimensional (Tl,Rb)/Si(111)√3×√3 compound having a honeycomb-like structure. J.Phys.: Condens.Matter, 2018, Vol.30, No.41, P.415502-7.
2015. О.Е. Терещенко, В.А. Голяшов, С.В. Еремеев, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, Д.В. Грузнев, А.А. Саранин. Поиск снятия вырождения Рашбы 2D электронных состояний в системе Bi/InAs(111)A // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2015», 21-25 сентября 2015 г., Ершово, Моск. обл. М.: ФИАН, 2015, C. 103.
2018. N.V. Denisov, A.Yu. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Bismuth-aluminum two-dimensional 2×2 compound and its ordered 9×9 domains on Si(111) surface. Surface Science, 2018, Vol. 677, P.291-295.
2024. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Effect of embedded Cr on the structural phase transition of In/Si(111)4×1. Surface Science, 2024, Vol.739, P.122400-6.
2018. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Two-dimensional metallic (Tl, Au)/Si(100)c(2×2): A Rashba-type system with C2v symmetry. Phys.Rev. B, 2018, Vol.98, P. 125428-6.
2015. Атомная и электронная структура атомного сэндвича Tl/Sn на поверхности Si(111) // Труды XIX-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2015, Т.1, С. 287-291.
2016. A.N. Mihalyuk, A.A. Alekseev, C.R. Hsing, C.M. Wei, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Low-temperature one-atom-layer V7xV7-In phase on Si(111). Surface Science, 2016, Vol.649, P. 14-19.
2022. A.N. Mihalyuk, Y.E. Vekovshinin, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, T.V. Utas, D.V. Gruznev, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Insights into the electronic properties of PbBi atomic layers on Ge(111) and Si(111) surfaces. Frontiers in Materials, 2022, Vol. 9, P.882008-10.
2023. A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Yu.E. Vekovshinin, T.V. Utas, D.V. Gruznev, Jyh-Pin Chou, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Large-scale thallene film with emergent spin-polarized states mediated by tin intercalation for spintronics applications. Materials Today Advances, 2023, Vol.18, P.100372-7.
2021. A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, T.V. Utas, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. One-dimensional spin-polarized electron channel in the two-dimensional PbBi compound on silicon. Physical Review B, 2021, Vol. 104, P.125413-7.
2024. A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, N.Yu. Solovova, V.A. Golyashov, O.E. Tereshchenko, T. Okuda, A. Kimura, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Emergence of quasi-1D spin-polarized states in ultrathin Bi films on InAs(111)A for spintronics applications. Nanoscale, 2024, Vol.16, Iss.3, P.1272-1281.
2014. A.Y. Tupchaya, A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Domain wall-based structures in Bi/Si(111)1×1-Tl system // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-5
2021. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.A. Yakovlev, A.V. Slyshkin, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Formation of a double-layer Pb reconstruction on the B-segregated Si(111) surface. Surface Science, 2021, Vol. 706, P.121784-6.
2017. A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Adsorbate-induced modification of electronic band structure of epitaxial Bi(111) films. Applied Surface Science, 2017, Vol. 406, P. 122-127.
2018. A.V. Zotov, D.A. Olyanich, V.V. Mararov, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, C.M. Wei, Y.L. Wang, A.A. Saranin. From C60 ”trilliumons” to “trilliumenes”': Self-assembly of 2D fullerene nanostructures on metal-covered silicon and germanium. The Journal of Chemical Physics, 2018, Vol.149, Iss. 3, P.034702-7.
2015. Д.В. Грузнев, Л.В. Бондаренко, А.В. Матецкий, А.Ю. Тупчая, С.В. Еремеев, J.-P. Chou, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, А.В. Зотов, А.А. Саранин. Управление структурой спин-расщепленных электронных состояний в двумерных сплавах на поверхности полупроводников // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2015», 21-25 сентября 2015 г., Ершово, Моск. обл. М.: ФИАН, 2015, С. 24.
2020. D.A. Olyanich, V.V. Mararov, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. C60 capping of metallic 2D Tl-Au compound with preservation of its basic properties at the buried interface. Applied Surface Science, 2020, Vol.501, P.144253-7.
2024. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.A. Yakovlev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Alteration of the inter-chain distance between Au atomic wires on Si(111) induced by Tl adsorption. Surface Science, 2024, Vol.740, P.122416-6.
2022. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D. V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Pb/NiSi2 atomic sandwich on Si(111). Surface Science, 2022, Vol.716, P.121966-6.
2024. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, T.V. Utas, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Atomic-scale observations of the immiscible melted metals confined in a single-atom layer. Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, 2024, Vol,18, Iss.2, P. 2300254-5.
2013. L.V. Bondarenko, D.V. Gruznev, A.A. Yakovlev, A.Y. Tupchaya, D. Usachov, O. Vilkov, A. Fedorov, D.V. Vyalikh, S.V. Eremeev, E.V. Chulkov, A.V. Zotov & A.A. Saranin. Large spin splitting of metallic surface-state bands at adsorbate-modified gold/silicon surfaces. Scientific Reports, 2013, Vol.3, Article number: 1826 | DOI: 10.1038/srep01826, 6 P.
2014. A.A. Saranin, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V.Matetskiy, A.A. Yakovlev, A.Y. Tupchaya, S.V. Eremeev, E.V. Chulkov, Jyu-Pin Chou, C.-M. Wei, M.-Y. Lai, Y.-L.Wang, A.V. Zotov. A strategy to create spin-split metallic bands on silicon using a dense alloy layer // Abstracts of 1st Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces (APSSS-1), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. E3
2015. A.V. Matetskiy, S. Ichinokura, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin, R. Hobara, A.Takayama, S. Hasegawa. Two-dimensional superconductor with a giant Rashba effect: One-atom-layer Tl-Pb compound on Si(111). Physical Review Letters, 2015, Vol.115, Iss.14, P. 147003(5)
2021. D.A. Olyanich, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Structural and electronic effects of adsorbed Bi on the metallic atomic chains in Au/Si(111)5x2. Applied Surface Science, 2021, Vol.558, P.149859-6.
2020. H. Huang, H.Toyama, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A. Takayama, R. Hobara, R. Akiyama, A.V. Zotov, A. A. Saranin, S. Hasegawa. Superconducting proximity effect in a Rashba-type surface state of Pb/Ge(111). Superconductor Science and Technology, 2020, Vol.33, №7, P. 075007-8.
2016. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.N. Mihalyuk, A.Y. Tupchaya, O.A. Utas, S.V. Eremeev, C.-R. Hsing, J.-P. Chou, C.-M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Synthesis of two-dimensional TlxBi1-x compounds and Archimedean encoding of their atomic structure. Scientific Reports, 2016, Vol.6, Article number:19446 | doi:10.1038/srep19446, 9 P.
2022. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Gold interlayer promotes superconductivity in single- and double-atomic Pb layers on Si(100). Journal of Physical Chemistry Letters, 2022, Vol.13, P.10479-10485.
2020. D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.A. Yakovlev, O.V. Kropachev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. The array of In-Bi heterodimers on the Si(100) surface. Surface Science, 2020, Vol.694, P.121557-5
2017. Д.В. Грузнев, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, А.Н. Михалюк, C.R. Hsing, C.M. Wei, S. Ichinokura, S. Hasegawa, А.В. Зотов, А.А. Саранин. Структура и свойства двойного слоя Tl на Si(111) // Материалы XXI-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 13-16 марта 2017 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2017, Т. 1, С. 285-286.
2024. A.N. Mihalyuk, Yu.E. Vekovshinin, A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, D.V. Gruznev, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Promoting spin-polarized states in Bi/Si(111) interface mediated by Ba intercalation for advanced spintronics applications. Scripta Materialia, 2024, Vol. 239, P. 115807-6.
2014. L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, I.A. Kibirev, A.A. Yakovlev, C.R. Hsing, C.M. Wei, S.V. Eremeev, E.V. Chulkov, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Bilayer TlSn alloy at Si(111) surface with spin splitted metallic bands // Abstracts of Young Scientists Asia Pasific School on Solid Surfaces (APSSS-1 Young Scientists School), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. P-7
2014. J.P. Chou, C.M. Wei, Y.L. Wang, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Atomic structure and electronic properties of In/Si(111)2x2 surface. Physical Review B, 2014, Vol. 89, Iss. 15, P.155310-5
2021. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D. V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, Y.P. Ivanov, D.A. Olyanich, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Metal sheet of atomic thickness embedded in silicon. ACS Nano, 2021, Vol.15, No.12, 19357–19363.
2020. L.V. Bondarenko, A.N. Mihalyuk, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Au induced reconstructions of Si(111) surface with ordered and disordered domain walls. Physical Review B, 2020, Vol. 101, P. 075405-9
2022. A. Mihalyuk, L. Bondarenko, A. Tupchaya, T. Utas, Jyh-Pin Chou, D. Gruznev, S. Eremeev, A. Zotov, A. Saranin. Unveiling hybridization between the Cr-impurity-mediated flat band and the Rashba-split state of the α-Au/Si(111) surface. Nanoscale, 2022, Vol.14, Iss.31, P.11227-11234.
2023. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Dense single-atomic 14×√3-reconstructed Pb layer on Si(111) with advanced structural and superconducting properties. Physical Review B, 2023, V.108, P.115428-9.
2020. A.Y. Tupchaya, L.V. Bondarenko, Y.E. Vekovshinin, A.A. Yakovlev, A.N. Mihalyuk, D.V. Gruznev, C.R. Hsing, C.M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Double- atomic-layer Tl-Mg compound on a Si(111) surface with advanced electronic properties. Physical Review B, 2020, Vol. 101, P. 235444-7
2017. S. Ichinokura, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin, S. Hasegawa. Superconductivity in thallium double atomic layer and transition into an insulating phase intermediated by a quantum metal state. 2D Materials, 2017, Vol. 4, No.2, P.025020-10.
2022. V.V. Mararov, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Self-assembly of C60 layers at Tl/NiSi2 atomic sandwich on Si(111). Surface Science, 2022, Vol.715, p.121934-5.
2016. A.V. Zotov, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, O.A. Utas, S.G. Azatyan, N.V. Denisov, S.V. Eremeev, Cheng-Rong Hsing, Juh-Pin Chou, Ching-Ming Wei, A.A. Saranin. Two-dimensional III-V compounds on Si(111) // 20th International Vacuum Congress (IVC-20), August 21-26, Busan, Korea. Seoul: The Korean Vacuum Society, 2016, P.608.
2018. H. Toyama, H. Huang, T. Nakamura, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A. Takayama, A.V. Zotov, A.A. Saranin, S. Hasegawa. Thickness dependence of surface structure and superconductivity in Pb atomic layers. J. Phys. Soc. Jpn., 2018, Vol. 87, P. 113601-5.
2020. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, Y.E. Vekovshinin, A.V. Slyshkin, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Fabrication and characterization of a single monolayer NiSi2 sandwiched between a Tl capping layer and a Si(111) substrate. 2D Materials, 2020, Vol. 7, No.2, P.025009-9.
2017. A.V. Matetskiy, I.A. Kibirev, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Theory versus experiment for a family of single-layer compounds with a similar atomic arrangement: (Tl, X)/Si(111)√3x√3 (X = Pb, Sn, Bi, Sb, Te, Se). Phys.Rev.B, 2017, Vol.96, Iss.8, P. 085409-7.
2017. А.В. Зотов, Д.В. Грузнев, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, А.Н. Михалюк, С.Г. Азатьян, С.В. Еремеев, J.P. Chou, C.R. Hsing, C.M. Wei, А.А. Саранин. Двумерные соединения адсорбатов на кремнии: эксперимент против теории // Материалы XXI-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 13-16 марта 2017 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2017, Т. 1, С. 297.
2016. A.V. Zotov, D.V. Gruznev, S.G. Azatyan, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, A.A. Saranin. 2D adsorbate compounds on silicon: Experiment versus theory // Abstracts of 2-nd Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces (APSSS-2), November 13-16, 2016, Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan. Taipei: IAMS, Academia Sinica, 2016, P. 15.
2020. V.G. Kotlyar, O.A. Utas, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surface reconstructions in Pb/Si(100) system: Composition and atomicarrangement. Surface Science, 2020, Vol.695, P.121574-7.
2020. A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Kondo effect at ultimate atomic-scale two dimensional limit: Au/Si(111)√3×√3 reconstruction with embedded Cr atoms. Physical Review B, 2020, Vol. 102, No.19, P. 195113-9.
2021. A.N. Mihalyuk, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Solving a long-standing problem regarding atomic structure of Si(100)2x3-Ag. The Journal of Physical Chemistry Letters, 2021, Vol.12, P.9584-9587.
2015. L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, O.A. Utas, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, C.-R. Hsing, J.-P. Chou, C.-M. Wei, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. 2D Tl-Bi compounds on silicon surface with Archimedean tiling // The 15th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-15), November 15-20, 2015, Hiroshima, Japan. Hiroshima: Hiroshima University, 2015, P. 39
2014. L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, I.A. Kibirev, A.A. Yakovlev, C.R. Hsing, C.M. Wei, S.V. Eremeev, E.V. Chulkov, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Rashba effect in two-dimensional Tl/Sn/Si(111) system // Abstracts of 1st Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces (APSSS-1), September 28 - October 2, 2014, Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, FEFU, Russky Island, Vladivostok, Russia. Vladivostok: FEFU, 2014, P. K5.
2015. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V.Matetskiy, A.Y. Tupchaya, E.N. Chukurov, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Atomic structure and electronic properties of the two-dimensional (Au,Al)/Si(111)2x2 compound. Physical Review B, 2015, Vol. 92, P.245407-7.
2014. D.V. Gruznev, A.V. Matetskii, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, Y.-L. Wang, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Two-dimensional Tl/Sn binary layer on Si(111) // 7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7), November 2-6 2014, Matsue, Japan. Tokyo: The Surface Science Society of Japan, 2014, P. [3pA1-4]
2017. А.А. Саранин, Д.В. Грузнев, А.В. Матецкий, И.А. Кибирев, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, C.M. Wei, C.R. Hsing, А.Н. Михалюк, А.В. Зотов. Атомная структура и электронные свойства двумерных соединений Si(111)√3×√3-(Tl, A) (A = элементы IV, V, VI групп) // Материалы XXI-го Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 13-16 марта 2017 г., Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2017, Т. 1, С.325-326.
2021. A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Electronic and transport properties of Pb-dense reconstructions on Si(100). Surface Science, 2021, V. 708, P.121822-6.
2020. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Thallene: graphene-like honeycomb lattice of Tl atoms frozen on single-layer NiSi2. 2D Materials, 2020, Vol.7, No.4, P.045026-7.
2017. A.N. Mihalyuk, C.R. Hsing, C.M. Wei, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, A.A. Saranin. One-atom-layer 4×4 compound in (Tl, Pb)/Si(111) system. Surface Science, 2017, V. 657 P. 63-68.
2022. A.N. Mihalyuk, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. 2D heavy fermion CePb3 kagome material on silicon: Emergence of unique spin polarized states for spintronics. Nanoscale, 2022, Vol.14, P.14732-14377.
2015. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Incommensurate superstructure in heavily doped fullerene layer on Bi/Si(111) surface. The Journal of Chemical Physics, 2015, Vol.143, P.074707-6
2016. A.A. Saranin, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, S.V. Eremeev, J.-P. Chou, C.R. Hsing, C.M. Wei, S. Ichinokura, R. Hobara, A. Takayama, and S. Hasegawa. Spin-split metallic surface states of 2D alloys and compounds on silicon // “Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures” Book of Abstracts of the 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016), October 9-15, 2016, Rome, Italy. Rome: Superstripe Press, 2016, P. 185-186.