Шевлягин Александр Владимирович
кандидат физико-математических наук
старший научный сотрудник
Лаборатория оптики и электрофизики (№105)
329
2-68
Shevlyagin@iacp.dvo.ru
Шевлягин Александр Владимирович, 1991 года рождения, в 2013 г. с отличием закончил Дальневосточный Федеральный университет и поступил в очную аспирантуру ИАПУ ДВО РАН. В 2019 г. Шевлягин А.В. успешно защитил кандидатскую диссертацию " Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа" по специальности 01.04.10 "физика полупроводников". В настоящее время занимает должность старшего научного сотрудника в лаборатории Оптики и электрофизики.
По материалам научных исследований Шевлягина А.В. опубликовано более 45 печатных работ, из них за последние 5 лет: 20 статей, индексируемых в базах Web of Science и Scopus, в том числе 9 работ в изданиях, входящих в первый квартиль (Q1) и 6 работ в изданиях, входящих во второй квартиль (Q2) по импакт-фактору JCR Science Edition и/или SJR. Шевлягин А.В. неоднократно награждался дипломами за лучший доклад среди молодых учёных на всероссийских и международных конференциях. В настоящее время является руководителем гранта РНФ № 20-72-00006 “Разработка тонкоплёночных солнечных батарей на основе гетероперехода Si / Mg2Si” в рамках Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, состоит в международном обществе солнечной энергии - International Solar Energy Society (ISES), победитель конкурса на получение стипендии Президента Российской Федерации в 2021-2023 годах для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики с проектом "Гетероструктуры на основе тонких плёнок полуметаллических силицидов кальция для кремниевой фотовольтаики".
- 2015. N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, A.V. Shevlyagin, T.H. Stuchlikova, J. Stuchlik, Z. Remes. Mg2Si, Ca2Si and CrSi2 nanoparticles for solar cells and light emitted diodes based on hydrogenated amorphous silicon on glass substrates // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, NANOMEETING, 2015, 07-06, pp. 532-535.
- 2022. Gurbatov, S.; Puzikov, V.; Modin, E.; Shevlyagin, A.; Gerasimenko, A.; Mitsai, E.; Kulinich, S.A.; Kuchmizhak, A. Ag-Decorated Si Microspheres Produced by Laser Ablation in Liquid: All-in-One Temperature-Feedback SERS-Based Platform for Nanosensing. Materials 2022, 15, 8091
- 2017. Galkin N. G. et al. Prospects for silicon–silicide integrated photonics //Japanese Journal of Applied Physics. – 2017. – Т. 56. – №. 5S1. – С. 05DA01.
- 2017. Shevlyagin A. V. et al. Stress-induced indirect to direct band gap transition in β-FeSi2 nanocrystals embedded in Si //AIP Conference Proceedings. – AIP Publishing LLC, 2017. – Т. 1874. – №. 1. – С. 030007.
- 2023. Stanislav O. Gurbatov, Vladislav Puzikov, Dmitriy Storozhenko, Evgeny Modin, Eugeny Mitsai, Artem Cherepakhin, Alexander Shevlyagin, Andrey V. Gerasimenko, Sergei A. Kulinich, and Aleksandr A. Kuchmizhak / Multigram-Scale Production of Hybrid Au-Si Nanomaterial by Laser Ablation in Liquid (LAL) for Temperature-Feedback Optical Nanosensing, Light-to-Heat Conversion, and Anticounterfeit Labeling // ACS Appl. Mater. Interfaces 2023, 15, 2, 3336–3347
- 2020. A. Shevlyagin, I. Chernev. N. Galkin, A. Gerasimenko, A. Gutakovskii, H. Hoshida, Y. Terai, N. Nishikawa, K. Ohdaira. Probing the Mg2Si/Si (1 1 1) heterojunction for photovoltaic applications // Solar Energy. – 2020. – Т. 211. – С. 383-395.
- 2022. A.V. Shevlyagin et al. Semimetal hR6-CaSi2 thin film: a transparent contact for Si optoelectronics // Journal of Alloys and Compounds. - 2022. - T.910. - P. 164893.
- 2015. Shevlyagin A. V. et al. Enhancement of the Si pn diode NIR photoresponse by embedding β-FeSi 2 nanocrystallites //Scientific reports. – 2015. – Т. 5. – №. 1. – С. 1-9.
- 2016. Goroshko D. L. et al. Formation of bulk and nanocrystallite layers of GaSb on silicon //Solid State Phenomena. – Trans Tech Publications Ltd, 2016. – Т. 245. – С. 72-79.
- 2022. A.V. Shevlyagin et al. Textured Stainless Steel as a Platform for Black Mg2Si/Si Heterojunction Solar Cells with Advanced Photovoltaic Performance // Materials. - 2022. - T. 15 - №19 - P.6637.
- 2023. Gurbatov S., Borodaenko Yu., Mitsai E., Modin E., Zhizhchenko A., Cherepakhin A., Shevlyagin A., Syubaev S., Porfirev A., Khonina S., Yelisseyev A., Lobanov S., Isaenko L., Gurevich E., Kuchmizhak A. Laser-Induced Periodic Surface Structures on Layered GaSe Crystals: Structural Coloring and Infrared Antireflection // The Journal of Physical Chemistry Letters. - 2023. - T. 14. - № 41. - C. 9357–9364.
- 2017. Goroshko D. L. et al. Photoluminescence spectroscopy investigation of epitaxial Si/GaSb nanocrystals/Si heterostructure //AIP Conference Proceedings. – AIP Publishing LLC, 2017. – Т. 1874. – №. 1. – С. 030015.
- 2021. Gouralnik A. S., Shevlyagin A. V., Chernev I. M., Ustinov A. Y., Gerasimenko A. V., Gutakovskii, A. K. Synthesis of crystalline Mg2Si films by ultrafast deposition of Mg on Si (111) and Si (001) at high temperatures. Mg/Si intermixing and reaction mechanisms // Materials Chemistry and Physics. 2021. Vol. 258. Article number 123903.
- 2024. Балашев В.В., Шевлягин А.В., Приходченко А.В., Цуканов Д.А., Самардак А.Ю., Собиров М.И., Огнев А.В., Самардак А.С. Исследование кристаллической структуры, фазового состава и магнитных свойств текстурированных пленок магнетита, выращенных методом реактивного осаждения // Физика твёрдого тела. – 2024 – Т. 66. – Вып. 3. – С. 370-376.
- 2024. Il’yaschenko, V. M., Pavlov, D. V., Balagan, S. A., Gerasimenko, A. V., Tarasenko, N. V., Kuchmizhak, A. A., & Shevlyagin, A. V. Alternative Look at Calcium Digermanide CaGe2: A High-Performing Semimetal Transparent Conducting Material for Ge Optoelectronics // ACS Applied Electronic Materials, 2024, Vol. 6, Iss. 2, pp. 1373–1384
- 2024. Yulia Borodaenko, Dmitriy Pavlov, Artem Cherepakhin, Eugeny Mitsai, Andrei Pilnik, Sergey Syubaev, Stanislav O. Gurbatov, Evgeny Modin, Aleksey P. Porfirev, Svetlana N. Khonina, Aleksandr V. Shevlyagin, Evgeny L. Gurevich and Aleksandr A. Kuchmizhak / Liquid‐Assisted Laser Nanotexturing of Silicon: Onset of Hydrodynamic Processes Regulated by Laser‐Induced Periodic Surface Structures / / Advanced Materials Technologies. – 2024 – Vol. 9 – Iss. 8 – p. 2301567.
- 2013. Goroshko D. et al. Enhancement of near IR sensitivity of silicon‐silicide based photodetectors //physica status solidi (c). – 2013. – Т. 10. – №. 12. – С. 1844-1846.
- 2022. N.G. Galkin, K.N. Galkin, A.V. Tupkalo, E.Yu. Subbotin, I.M. Chernev, A.V. Shevlyagin and V.V. Khovailo / Conduction Mechanisms and Thermoelectric Properties of Semimetallic CaSi and CaSi2 Films on Si(100) and Si(111) Substrates // Physics of the Solid State, 2022, Vol. 64, No. 12, pp. 616–623
- 2012. Galkin N. G. et al. Room temperature 1.5 μ m light-emitting silicon diode with embedded β-FeSi2 nanocrystallites //Applied Physics Letters. – 2012. – Т. 101. – №. 16. – С. 163501.
- 2016. Goroshko D. L. et al. Extended near-IR spectral sensitivity and electroluminescence properties of silicon diode structure with GaSb/Si composite layer //Solid State Phenomena. – Trans Tech Publications Ltd, 2016. – Т. 247. – С. 61-65.
- 2015. Т.С. Шамирзаев, Н.Г. Галкин, Е.А. Чусовитин, Д.Л. Горошко, А.В. Шевлягин, А.К. Гутаковский, А.А. Саранин, А.В. Латышев. Светодиодные 1.5 - мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si // Физика и техника полупроводников, т. 49, вып. 4, 2015, с. 519-523.
- 2022. Stanislav O. Gurbatov, Vladislav Puzikov, Artem Cherepakhin, Eugeny Mitsai, Natalie Tarasenka, Alexander Shevlyagin, Aleksandr Sergeev, Sergei A. Kulinich, Aleksandr A. Kuchmizhak / Hybrid Au@Si microspheres produced via laser irradiation in liquid for nonlinear photonics // Optics & Laser Technology 2022, 147, 107666.
- 2018. Galkin N. G. et al. Comparison of the structural, optical and thermoelectrical properties of Ca silicide films with variable composition on Si substrates //Defect and Diffusion Forum. – Trans Tech Publications Ltd, 2018. – Т. 386. – С. 3-8.
- 2015. Galkin N. G. et al. Semiconducting Mg2Sn and Mg2Ge nanolayers on Si (111) substrates: formation, structure and properties //PHYSICS, CHEMISTRY AND APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES: PROCEEDINGS OF INTERNATIONAL CONFERENCE NANOMEETING–2015. – 2015. – С. 128-131.
- 2018. Gouralnik A. S. et al. Formation of Mg2Si at high temperatures by fast deposition of Mg on Si (111) with wedge-shaped temperature distribution //Applied Surface Science. – 2018. – Т. 439. – С. 282-284.
- 2013. Gouralnik A. S. et al. Brief observe on iron silicide growth on amorphous silicon //Physica status solidi (c). – 2013. – Т. 10. – №. 12. – С. 1742-1745.
- 2015. Non-doped and doped Mg stannide films on Si(111) substrates: Formation, optical, and electrical properties
- 2016. Галкин Н. Г. и др. Кремний-силицидные диодные гетероструктуры-основа для создания кремниевой интегральной фотоники //Вестник Дальневосточного отделения Российской академии наук. – 2016. – №. 4 (188).
- 2019. Galkin N. G. et al. Silicon p+–p−–n Diodes with Embedded β-FeSi2 and CrSi2 Nanocrystals: Morphology, Crystal Structure and Photoelectric Properties //International Journal of Nanoscience. – 2019. – Т. 18. – №. 03n04. – С. 1940084.
- 2016. A. V. Shevlyagin, D. L. Goroshko, E. A. Chusovitin, N. G. Galkin. VIS-NIR-SWIR multicolor avalanche photodetector originating from quantum-confined Stark effect in Si/β-FeSi2/Si structure // V. 109, 171101 (2016)
- 2021. Yulia Borodaenko, Sergey Syubaev, Stanislav Gurbatov, Alexey Zhizhchenko, Aleksey Porfirev, Svetlana Khonina, Eugeny Mitsai, Andrey V. Gerasimenko, Alexander Shevlyagin, Evgeny Modin, Saulius Juodkazis, Evgeny L. Gurevich, Aleksandr A. Kuchmizhak / Deep Subwavelength Laser-Induced Periodic Surface Structures on Silicon as a Novel Multifunctional Biosensing Platform // ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 54551−54560
- 2013. Chusovitin E. et al. Electroluminescence properties of p‐Si/β‐FeSi2 NCs/…/n‐Si mesa diodes with embedded multilayers of β‐FeSi2 nanocrystallites //physica status solidi (c). – 2013. – Т. 10. – №. 12. – С. 1850-1853.
- 2015. Alexander Shevlyagin, Dmitry Goroshko, Evgeniy Chusovitin, Konstantin Galkin, and Nikolay Galkin. Characterization of the silicon/β-FeSi2 nanocrystallites heterostructures for the NIR photodetection at low temperature // JJAP, V.54, 07JB02 (2015)
- 2016. Chernev I. M. et al. On the way to enhance the optical absorption of a-Si in NIR by embedding Mg2Si thin film //Applied Physics Letters. – 2016. – Т. 109. – №. 4. – С. 043902.
- 2018. Semyon A Balagan et al 2018 J. Phys.: Condens. Matter 30 245301
- 2017. Субботин Е. Ю. и др. НАНОКРИСТАЛЛЫ GASB ВЫРАЩЕННЫЕ МЕТОДОМ ТВЁРДОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ И ВСТРОЕННЫЕ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ //Современные проблемы физики и технологий. – 2017. – С. 166-167.
- 2020. Terai Y. et al. Photoreflectance Spectra of Highly-oriented Mg 2 Si (111)//Si (111) Films //JJAP Conference Proceedings. – The Japan Society of Applied Physics, 2020. – Т. 8. - 011004
- 2019. Chusovitin E. et al. Embedding of iron silicide nanocrystals into monocrystalline silicon: suppression of emersion effect //Asia-Pacific Conference on Fundamental Problems of Opto-and Microelectronics 2017. – International Society for Optics and Photonics, 2019. – Т. 11024. – С. 1102402.
- 2017. Chusovitin E. A. et al. GaSb nanocrystals grown by solid phase epitaxy and embedded into monocrystalline silicon //Scripta Materialia. – 2017. – Т. 136. – С. 83-86.
- 2017. Shevlyagin A. V. et al. A room-temperature-operated Si LED with β-FeSi2 nanocrystals in the active layer: μ W emission power at 1.5 μ m //Journal of Applied Physics. – 2017. – Т. 121. – №. 11. – С. 113101.
- 2017. Goroshko D. L. et al. Solid phase epitaxy formation of silicon-GaSb based heterostructures //JJAP Conference Proceedings. – The Japan Society of Applied Physics, 2016. – Т. 5.
- 2017. Galkin N. G. et al. Study of optical and luminescence properties of silicon—semiconducting silicide—silicon multilayer nanostructures //EPJ Web of Conferences. – EDP Sciences, 2017. – Т. 132. – С. 02006.